Асланян Артем Эдуардович

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Исследование напряжeнности внутренних электрических полей в активной области светодиодных структур на основе InGaN/GaN с разным числом квантовых ям методом спектроскопии электропропускания
   
   Физика и техника полупроводников, 54:4 (2020),  420–425
2. Фотореверсивный ток в светодиодных гетероструктурах на основе InGaN/GaN c разным количеством квантовых ям
   
   Физика и техника полупроводников, 54:3 (2020),  292–295
3. Исследование распределения встроенных электрических полей в светодиодных гетероструктурах c множественными квантовыми ямами GaN/InGaN методом электроотражения
   
   Физика и техника полупроводников, 53:4 (2019),  493–499
4. Спектры электроотражения множественных квантовых ям InGaN/GaN, помещенных в неоднородное электрическое поле $p$–$n$-перехода
   
   Физика и техника полупроводников, 51:2 (2017),  198–201