Банная Вера Федоровна

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Разогрев электронов в чистом Ge в квантовом магнитном поле при термическом возбуждении носителей заряда
   
   Физика и техника полупроводников, 54:3 (2020),  221–223
2. Влияние квантового магнитного поля на разогрев носителей заряда в чистом Ge
   
   Физика и техника полупроводников, 53:1 (2019),  13–17
3. Электрический пробой в чистом $n$- и $p$-Si
   
   Физика и техника полупроводников, 52:3 (2018),  291–294
4. Повышение точности определения компенсации примесей в чистом, слабокомпенсированном германии по величине поля пробоя
   
   Физика и техника полупроводников, 51:3 (2017),  302–304
5. Электрический пробой в чистом $n$- и $p$-Ge при межзонном фотовозбуждении
   
   Физика и техника полупроводников, 49:9 (2015),  1195–1197
6. Гальваномагнитные низкотемпературные исследования чистого германия при собственном фотовозбуждении
   
   Физика и техника полупроводников, 49:9 (2015),  1189–1194
7. Особенности холловских измерений в легированных полупроводниках
   
   Физика и техника полупроводников, 49:6 (2015),  779–781
8. Методы оценки концентрации компенсирующей примеси в германии, легированном ртутью
   
   Физика и техника полупроводников, 48:11 (2014),  1444–1446