Карасев Платон Александрович

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Модификация приповерхностных слоев альфа оксида галлия при облучении сверхбольшими дозами ионов
   
   Физика и техника полупроводников, 58:9 (2024),  513–523
2. Анализ параметров индивидуальных каскадов столкновений при облучении Ga$_2$O$_3$ атомарными и молекулярными ионами
   
   Физика и техника полупроводников, 57:9 (2023),  738–742
3. Накопление структурных нарушений при облучении $\alpha$-Ga$_2$O$_3$ ионами P и PF$_4$
   
   Физика и техника полупроводников, 56:9 (2022),  882–887
4. Формирование наночастиц Au и особенности травления подложки Si после облучения атомарными и молекулярными ионами
   
   Физика и техника полупроводников, 54:1 (2020),  90–96
5. Влияют ли химические эффекты на накопление структурных нарушений при имплантации в GaN ионов фтора?
   
   Физика и техника полупроводников, 53:11 (2019),  1455–1458
6. Образование радиационных дефектов в слабо легированных слоях $n$- и $p$-SiC при торможении протонов
   
   Физика и техника полупроводников, 52:3 (2018),  327–332
7. Влияние добавления диборана на свойства плазмохимически осаждаемых углеродных пленок
   
   Письма в ЖТФ, 43:1 (2017),  80–88
8. Дислокационная фотолюминесценция в кремнии, имплантированном ионами фтора
   
   Письма в ЖТФ, 43:1 (2017),  14–20
9. Влияние повышения плотности каскадов столкновений на эффективность генерации первичных смещений при ионной бомбардировке Si
   
   Физика и техника полупроводников, 50:8 (2016),  1009–1015
10. Нелинейный оптический эффект при облучении GaN малыми кластерными ионами
    
    Физика и техника полупроводников, 48:4 (2014),  462–466
11. Накопление структурных нарушений при облучении кремния ионами PF$_n^+$ различных энергий
    
    Физика и техника полупроводников, 47:2 (2013),  206–210