Карабешкин Константин Валерьевич

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Анализ параметров индивидуальных каскадов столкновений при облучении Ga$_2$O$_3$ атомарными и молекулярными ионами
   
   Физика и техника полупроводников, 57:9 (2023),  738–742
2. Накопление структурных нарушений при облучении $\alpha$-Ga$_2$O$_3$ ионами P и PF$_4$
   
   Физика и техника полупроводников, 56:9 (2022),  882–887
3. Кремниевые светодиоды с люминесценцией (113) дефектов
   
   Физика и техника полупроводников, 54:6 (2020),  580–584
4. Формирование наночастиц Au и особенности травления подложки Si после облучения атомарными и молекулярными ионами
   
   Физика и техника полупроводников, 54:1 (2020),  90–96
5. Влияют ли химические эффекты на накопление структурных нарушений при имплантации в GaN ионов фтора?
   
   Физика и техника полупроводников, 53:11 (2019),  1455–1458
6. Образование дефектов в структурах GaAs с непокрытой и покрытой пленкой AlN поверхностями при имплантации ионов азота и последующем отжиге
   
   Физика и техника полупроводников, 53:4 (2019),  437–440
7. Дефектная структура слоев GaAs, имплантированных ионами азота
   
   Письма в ЖТФ, 44:18 (2018),  24–30
8. Влияние дозы имплантации ионов азота на концентрацию точечных дефектов, введенных в слои GaAs
   
   Письма в ЖТФ, 44:13 (2018),  44–50
9. Дислокационная фотолюминесценция в кремнии, имплантированном ионами фтора
   
   Письма в ЖТФ, 43:1 (2017),  14–20
10. Влияние дозы имплантации и длительности отжига на люминесцентные свойства (113) дефектов в Si, имплантированном ионами кислорода
    
    Физика твердого тела, 58:12 (2016),  2411–2414
11. Влияние повышения плотности каскадов столкновений на эффективность генерации первичных смещений при ионной бомбардировке Si
    
    Физика и техника полупроводников, 50:8 (2016),  1009–1015
12. Нелинейный оптический эффект при облучении GaN малыми кластерными ионами
    
    Физика и техника полупроводников, 48:4 (2014),  462–466
13. Накопление структурных нарушений при облучении кремния ионами PF$_n^+$ различных энергий
    
    Физика и техника полупроводников, 47:2 (2013),  206–210