Ильин Владимир Алексеевич

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. 4H-SiC-фотодиоды с микронаноструктурированной поверхностью приемной области
   
   Физика и техника полупроводников, 59:1 (2025),  43–47
2. Характеристики матричного катода из карбида кремния в предпробойных и пробойных условиях
   
   ЖТФ, 93:4 (2023),  568–574
3. Применение технологии реактивного ионно-плазменного травления для управления чувствительностью 4H-SiC-фотодиодов
   
   Физика и техника полупроводников, 56:10 (2022),  997–1001
4. О формировании низкоомных контактов для биполярных приборов на основе 4H-SiC
   
   Физика и техника полупроводников, 56:6 (2022),  607–610
5. Определение толщин и особенностей легирования многослойных $4H$–$\mathrm{SiC}$-структур методом частотного анализа инфракрасных спектров отражения
   
   Письма в ЖТФ, 48:2 (2022),  34–36
6. Cиловой МДП-транзистор на 4$H$-SiC с эпитаксиальным заглубленным каналом
   
   Физика и техника полупроводников, 54:1 (2020),  79–84
7. Метод увеличения подвижности носителей заряда в канале полевого 4$H$-SiC-транзистора
   
   Физика и техника полупроводников, 50:6 (2016),  839–842
8. Особенности вольт-амперных характеристик МДП-структур SiO$_{2}$/4$H$-SiC c имплантированным в карбид кремния фосфором
   
   Физика и техника полупроводников, 50:1 (2016),  103–105
9. Ионная имплантация фосфора как метод пассивации состояний на границе раздела 4H-SiC и SiO$_2$, полученного термическим окислением в атмосфере сухого кислорода
   
   Физика и техника полупроводников, 48:12 (2014),  1621–1625
10. Влияние быстрой термообработки на вольт-амперные характеристики 4H-SiC-диодов с барьером Шоттки
    
    Физика и техника полупроводников, 47:1 (2013),  83–86