Афанасьев Алексей Валентинович

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. 4H-SiC-фотодиоды с микронаноструктурированной поверхностью приемной области
   
   Физика и техника полупроводников, 59:1 (2025),  43–47
2. Применение технологии реактивного ионно-плазменного травления для управления чувствительностью 4H-SiC-фотодиодов
   
   Физика и техника полупроводников, 56:10 (2022),  997–1001
3. О формировании низкоомных контактов для биполярных приборов на основе 4H-SiC
   
   Физика и техника полупроводников, 56:6 (2022),  607–610
4. Определение толщин и особенностей легирования многослойных $4H$–$\mathrm{SiC}$-структур методом частотного анализа инфракрасных спектров отражения
   
   Письма в ЖТФ, 48:2 (2022),  34–36
5. Cиловой МДП-транзистор на 4$H$-SiC с эпитаксиальным заглубленным каналом
   
   Физика и техника полупроводников, 54:1 (2020),  79–84
6. Метод увеличения подвижности носителей заряда в канале полевого 4$H$-SiC-транзистора
   
   Физика и техника полупроводников, 50:6 (2016),  839–842
7. Особенности вольт-амперных характеристик МДП-структур SiO$_{2}$/4$H$-SiC c имплантированным в карбид кремния фосфором
   
   Физика и техника полупроводников, 50:1 (2016),  103–105
8. Вольт-фарадные характеристики МДП структур (Al/Ti)/Al$_2$O$_3$/$n$-GaN
   
   Физика и техника полупроводников, 49:8 (2015),  1061–1064
9. Ионная имплантация фосфора как метод пассивации состояний на границе раздела 4H-SiC и SiO$_2$, полученного термическим окислением в атмосфере сухого кислорода
   
   Физика и техника полупроводников, 48:12 (2014),  1621–1625
10. Влияние быстрой термообработки на вольт-амперные характеристики 4H-SiC-диодов с барьером Шоттки
    
    Физика и техника полупроводников, 47:1 (2013),  83–86