Михайлов Алексей Игоревич

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Cиловой МДП-транзистор на 4$H$-SiC с эпитаксиальным заглубленным каналом
   
   Физика и техника полупроводников, 54:1 (2020),  79–84
2. Метод увеличения подвижности носителей заряда в канале полевого 4$H$-SiC-транзистора
   
   Физика и техника полупроводников, 50:6 (2016),  839–842
3. Особенности вольт-амперных характеристик МДП-структур SiO$_{2}$/4$H$-SiC c имплантированным в карбид кремния фосфором
   
   Физика и техника полупроводников, 50:1 (2016),  103–105
4. Ионная имплантация фосфора как метод пассивации состояний на границе раздела 4H-SiC и SiO$_2$, полученного термическим окислением в атмосфере сухого кислорода
   
   Физика и техника полупроводников, 48:12 (2014),  1621–1625