Потапов Александр Сергеевич

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Лавинный пробой в 4$H$-SiC диодах Шоттки: вопросы надежности
   
   ЖТФ, 90:12 (2020),  2133–2138
2. Микропрофилирование 4$H$-SiC сухим травлением в технологии формирования структуры полевого транзистора с затвором Шоттки
   
   Физика и техника полупроводников, 54:1 (2020),  97–102
3. Коррекция характеристик обратного восстановления высоковольтных инжекционных 4$H$-SiC диодов с помощью протонного облучения
   
   Физика и техника полупроводников, 53:6 (2019),  862–864
4. Моделирование переходных процессов в полупроводниковых приборах на основе 4$H$-SiC (учет неполной ионизации легирующих примесей в модуле ATLAS программного пакета SILVACO TCAD)
   
   Физика и техника полупроводников, 53:3 (2019),  407–410
5. Влияние частичной ионизации легирующих примесей в 4H-SiC на емкость обратносмещенного $p^{+}$–$i$–$n^{+}$-диода
   
   ЖТФ, 88:6 (2018),  955–958
6. Устойчивость высоковольтных (1430 В) 4$H$-SiC $p^{+}$–$n_{0}$–$n^{+}$-диодов к лавинному пробою
   
   Физика и техника полупроводников, 52:12 (2018),  1527–1531
7. Влияние низкодозного протонного облучения на характеристики инжекционных диодов на основе 4$H$-SiC
   
   Физика и техника полупроводников, 52:10 (2018),  1187–1190
8. Влияние термообработки на электрические характеристики полуизолирующих слоев, полученных с помощью облучения $n$-SiC высокоэнергетическими ионами аргона
   
   Письма в ЖТФ, 44:6 (2018),  11–16
9. Высоковольтные (1600 V) размыкатели тока с субнаносекундным (150 ps) быстродействием на основе 4$H$-SiC
   
   Письма в ЖТФ, 44:3 (2018),  3–8
10. Вольт-амперные характеристики высоковольтных 4$H$-SiC $p^{+}$–$n_{0}$–$n^{+}$-диодов в режиме лавинного пробоя
    
    Физика и техника полупроводников, 51:3 (2017),  390–394
11. Полуизолирующие слои 4$H$-SiC, полученные имплантацией высокоэнергетичных (53 МэВ) ионов аргона в эпитаксиальные пленки $n$-типа проводимости
    
    Физика и техника полупроводников, 50:7 (2016),  937–940
12. Полевая зависимость дрейфовой скорости электронов в 4$H$-SiC вдоль оси $c$
    
    Физика и техника полупроводников, 50:7 (2016),  900–904
13. Динамические характеристики дрейфовых диодов с резким восстановлением на основе 4H-SiC
    
    Физика и техника полупроводников, 49:11 (2015),  1558–1562
14. Вольт-фарадные характеристики МДП структур (Al/Ti)/Al$_2$O$_3$/$n$-GaN
    
    Физика и техника полупроводников, 49:8 (2015),  1061–1064
15. Влияние ударной ионизации примесей на динамические характеристики $p^+$–$n$–$n^+$-диодов на основе 4H-SiC при низкой температуре (77 K)
    
    Физика и техника полупроводников, 49:7 (2015),  999–1002
16. Сопротивление 4H-SiC барьеров Шоттки при высоких плотностях прямого тока
    
    Физика и техника полупроводников, 49:7 (2015),  951–955
17. Влияние быстрой термообработки на вольт-амперные характеристики 4H-SiC-диодов с барьером Шоттки
    
    Физика и техника полупроводников, 47:1 (2013),  83–86
18. Низкотемпературные (77–300 K) вольт-амперные характеристики $p^+$–$p$–$n^+$-диодов на основе 4H-SiC: влияние примесного пробоя в $p$-базе
    
    Физика и техника полупроводников, 46:4 (2012),  548–550
19. Токи утечки в 4H-SiC-диодах Шоттки с интегрированной шоттки–($p$–$n$-структурой)
    
    Физика и техника полупроводников, 46:3 (2012),  411–415
20. Вольт-амперные характеристики высоковольтных 4H-SiC-диодов с барьером Шоттки высотой 1.1 эВ
    
    Физика и техника полупроводников, 45:10 (2011),  1427–1430
21. Исследование $p$–$n$-переходов на основе 4H-SiC, изготовленных имплантацией бора, методом нестационарной емкостной спектроскопии
    
    Физика и техника полупроводников, 45:10 (2011),  1358–1362
22. Высоковольтные (3.3 кВ) JBS-диоды на основе 4H-SiC
    
    Физика и техника полупроводников, 45:5 (2011),  677–681
23. Бистабильный низкотемпературный (77 K) примесный пробой в 4H-SiC $p$-типа
    
    Физика и техника полупроводников, 44:7 (2010),  902–904
24. Об “избыточных” токах утечки в высоковольтных диодах Шоттки на основе 4H-SiC
    
    Физика и техника полупроводников, 44:5 (2010),  680–683