Ратушный Виктор Иванович

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Пространственное распределение интенсивности электролюминесценции и внутренний квантовый выход во флип-чип диодах на основе двойных гетероструктур InAsSbP/InAsSb с удаленной подложкой
   
   Физика и техника полупроводников, 57:6 (2023),  501–506
2. Локализация прохождения тока в термофотовольтаических преобразователях на основе двойных гетероструктур InAsSbP/InAs
   
   ЖТФ, 90:5 (2020),  835–840
3. Сравнительный анализ характеристик термофотовольтаических преобразователей на основе структур $p$-InAsSbP/$n$-InAs, облучаемых со стороны $p$- и $n$-типа проводимости
   
   ЖТФ, 89:8 (2019),  1233–1237
4. Вольт-амперные характеристики и сбор фототока в радиально симметричных поверхностно облучаемых фотодиодах на основе InAsSb(P)
   
   ЖТФ, 84:11 (2014),  52–57
5. Синтез пленок оксида цинка в тлеющем разряде различной конфигурации
   
   Письма в ЖТФ, 40:22 (2014),  69–75
6. Поверхностно облучаемые фотодиоды на основе InAsSb (длинноволновая граница $\lambda_{0.1}$ = 4.5 мкм), работающие при температурах 25–80$^\circ$C
   
   Физика и техника полупроводников, 46:5 (2012),  708–713