RUS  ENG
Полная версия
ПЕРСОНАЛИИ

Болдыревский Павел Борисович

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

  1. Влияние разориентации подложки на свойства $p$-НЕМТ наногетероструктур на основе GaAs, формируемых в процессе MOCVD эпитаксии

    ЖТФ, 92:10 (2022),  1582–1587
  2. Исследование элементарных процессов МOC-гидридной эпитаксии наногетероструктур на основе арсенида галлия методом атомно-силовой микроскопии

    ЖТФ, 90:5 (2020),  826–830
  3. Влияние частоты вращения дискового подложкодержателя на кристаллоструктурные характеристики слоев арсенида галлия, формируемых в процессе MOCVD эпитаксии

    ЖТФ, 88:2 (2018),  219–223
  4. Модели процессов тепломассопереноса при эпитаксии полупроводниковых слоев из газовой фазы

    Известия высших учебных заведений. Поволжский регион. Физико-математические науки, 2017, № 2,  91–107
  5. Задача конвективной диффузии из газовой фазы к вращающемуся диску

    Прикл. мех. техн. физ., 57:4 (2016),  74–83
  6. Анализ неравномерности толщины эпитаксиального слоя кремния при осаждении из сублимационных источников в вакууме

    Известия высших учебных заведений. Поволжский регион. Физико-математические науки, 2015, № 4,  93–100
  7. Исследование однородности толщин слоев кремния, выращенных в процессе молекулярно-лучевой эпитаксии из сублимационного источника

    ЖТФ, 84:11 (2014),  155–158


© МИАН, 2026