|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru
-
Влияние разориентации подложки на свойства $p$-НЕМТ наногетероструктур на основе GaAs, формируемых в процессе MOCVD эпитаксии
ЖТФ, 92:10 (2022), 1582–1587
-
Исследование элементарных процессов МOC-гидридной эпитаксии наногетероструктур на основе арсенида галлия методом атомно-силовой микроскопии
ЖТФ, 90:5 (2020), 826–830
-
Влияние частоты вращения дискового подложкодержателя на кристаллоструктурные характеристики слоев арсенида галлия, формируемых в процессе MOCVD эпитаксии
ЖТФ, 88:2 (2018), 219–223
-
Модели процессов тепломассопереноса при эпитаксии полупроводниковых слоев из газовой фазы
Известия высших учебных заведений. Поволжский регион. Физико-математические науки, 2017, № 2, 91–107
-
Задача конвективной диффузии из газовой фазы к вращающемуся диску
Прикл. мех. техн. физ., 57:4 (2016), 74–83
-
Анализ неравномерности толщины эпитаксиального слоя кремния при осаждении из сублимационных источников в вакууме
Известия высших учебных заведений. Поволжский регион. Физико-математические науки, 2015, № 4, 93–100
-
Исследование однородности толщин слоев кремния, выращенных в процессе молекулярно-лучевой эпитаксии из сублимационного источника
ЖТФ, 84:11 (2014), 155–158
© , 2026