Кожанова Юлия Владимировна

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Светодиодные структуры на основе ZnO-пленок, полученных методом высокочастотного магнетронного распыления, для УФ области спектра
   
   ЖТФ, 90:3 (2020),  456–461
2. Параметры полупроводниковых пленок ZnO, легированных 3$d$-примесями Mn, Fe
   
   Физика и техника полупроводников, 54:1 (2020),  18–21
3. Рост, структурные, магнитные и магнитооптические свойства пленок ZnO, легированных 3$d$-примесью Fe$^{57}$
   
   Физика твердого тела, 60:3 (2018),  596–602
4. Влияние наночастиц, тонких пленок Ag, Au на генерацию носителей заряда в структурах с множественными квантовыми ямами на основе InGaN/GaN и в кристаллических пленках ZnO
   
   ЖТФ, 88:4 (2018),  566–571
5. Формирование спектров люминесценции, интенсивность излучения в УФ и видимой областях структур $n$-ZnO/$p$-GaN, $n$-ZnO/$p$-ZnO при нанесении пленок ZnO методом высокочастотного магнетронного распыления
   
   Физика и техника полупроводников, 52:10 (2018),  1115–1119
6. Параметры пленок ZnO с дырочным типом проводимости, полученных методом высокочастотного магнетронного распыления
   
   Физика и техника полупроводников, 51:5 (2017),  588–593
7. Интенсивность излучения в УФ- и ИК-областях спектра в пленках, наностержнях, объемных монокристаллах ZnO, легированных Er и дополнительно введенными примесями
   
   Физика и техника полупроводников, 50:10 (2016),  1325–1332
8. Фотоиндуцированные дефекты в аморфных пленках $a$-Si : H и в структурах с квантовыми ямами MQW на основе InGaN/GaN, легированных Eu, Sm, Eu + Sm
   
   ЖТФ, 85:9 (2015),  97–104
9. Влияние напряженности магнитного поля и интенсивности возбуждения на вид спектров микрофотолюминесценции структур с квантовыми ямами на основе GaN/InGaN, легированных Sm, Eu + Sm
   
   Физика твердого тела, 55:5 (2013),  962–967
10. Метастабильные состояния в структурах с квантовыми ямами на основе InGaN/GaN, легированных Sm, Eu, Eu + Sm
    
    Физика и техника полупроводников, 47:4 (2013),  480–489
11. Интенсивность излучения внутрицентровых 4$f$-переходов в пленках $a$-Si : H, ZnO и GaN, легированных редкоземельными ионами
    
    Физика и техника полупроводников, 46:7 (2012),  925–936
12. Влияние магнитного поля и температуры измерения на вид спектров микрофотолюминесценции в структурах с квантовыми ямами на основе InGaN/GaN, легированных Eu
    
    Физика твердого тела, 53:8 (2011),  1596–1603