Михайлов Алексей Николаевич

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Влияние концентрации вакансий кислорода на параметры резистивного переключения в мемристорных структурах на основе ZrO$_2$(Y)
   
   ЖТФ, 95:9 (2025),  1733–1743
2. Мемристоры для энергонезависимой резистивной памяти на основе двухслойного диэлектрика Al$_2$O$_3$/ZrO$_2$(Y)
   
   ЖТФ, 94:11 (2024),  1833–1842
3. Критерий определения верхних критических полей $H_{c2}$ в тонких пленках YBCO с разной дозой ионного облучения
   
   Физика твердого тела, 65:6 (2023),  907–913
4. Планарные (латеральные) светоизлучающие диоды с Ge(Si)-наноостровками, встроенными в фотонный кристалл
   
   Письма в ЖТФ, 49:22 (2023),  12–15
5. Влияние ионного облучения на электронный транспорт в тонких пленках YBCO
   
   Физика твердого тела, 64:9 (2022),  1162–1168
6. Экспериментальное наблюдение $s$-компоненты сверхпроводящего спаривания в тонких неупорядоченных пленках ВТСП на основе YBCO
   
   Физика твердого тела, 62:9 (2020),  1434–1439
7. Резистивное переключение в структурах металл–оксид–полупроводник с наноостровками GeSi на подложке кремния
   
   ЖТФ, 90:10 (2020),  1741–1749
8. Электрофизические характеристики многослойных мемристивных наноструктур на основе стабилизированного иттрием диоксида циркония и оксида тантала
   
   ЖТФ, 90:2 (2020),  298–304
9. Отличительные особенности фазовых диаграмм тонких неупорядоченных пленок на основе ВТСП YBa$_{2}$Cu$_{3}$O$_{7-x}$ во внешних магнитных полях
   
   Физика твердого тела, 61:9 (2019),  1573–1578
10. Механизмы токопереноса и резистивного переключения в конденсаторах со слоями стабилизированного иттрием диоксида гафния
    
    ЖТФ, 89:6 (2019),  927–934
11. Диффузия и взаимодействие In и As, имплантированных в пленки SiO$_{2}$
    
    Физика и техника полупроводников, 53:8 (2019),  1023–1029
12. Влияние облучения ионами Si$^{+}$ на резистивное переключение мемристивных структур на основе стабилизированного диоксида циркония
    
    Письма в ЖТФ, 45:14 (2019),  3–6
13. Особенности поведения МДП мемристоров с нанослоем Si$_{3}$N$_{4}$, изготовленных на основе проводящей подложки Si
    
    Физика и техника полупроводников, 52:12 (2018),  1436–1442
14. Влияние примеси бора на излучательные свойства дислокационных структур в кремнии, сформированных путем имплантации ионов Si$^{+}$
    
    Физика и техника полупроводников, 52:7 (2018),  702–707
15. Влияние импульсного гамма-нейтронного облучения на фоточувствительность фотодиодов на базе Si с наноостровками GeSi и эпитаксиальными слоями Ge
    
    Физика и техника полупроводников, 52:6 (2018),  651–655
16. Имитация синаптической связи нейроноподобных генераторов с помощью мемристивного устройства
    
    ЖТФ, 87:8 (2017),  1248–1254
17. Формирование гексагональной фазы кремния 9$R$ при ионной имплантации
    
    Письма в ЖТФ, 43:16 (2017),  87–92
18. Изменение иммитанса при электроформовке и резистивном переключении в мемристивных структурах “металл–диэлектрик–металл” на основе SiO$_{x}$
    
    ЖТФ, 86:5 (2016),  107–111
19. Послойный состав и структура кремния, подвергнутого совместной ионной имплантации галлия и азота для ионного синтеза GaN
    
    Физика и техника полупроводников, 50:2 (2016),  274–278
20. Si : Si светодиоды с дислокационной люминесценцией при комнатной температуре
    
    Физика и техника полупроводников, 50:2 (2016),  241–244
21. Резистивное переключение в мемристивных структурах Au/SiO$_{x}$/TiN/Ti с различными геометрическими параметрами и стехиометрией диэлектрической пленки
    
    Письма в ЖТФ, 42:10 (2016),  17–24
22. Формирование фторсодержащих дефектов и нанокристаллов в SiO$_2$ при имплантации ионов фтора, кремния и германия: компьютерное моделирование и фотолюминесцентная спектроскопия
    
    Физика твердого тела, 57:11 (2015),  2106–2111
23. Влияние облучения ионами H$^+$ и Ne$^+$ на резистивное переключение в мемристивных структурах “металл–диэлектрик–металл” на основе SiO$_x$
    
    Письма в ЖТФ, 41:19 (2015),  81–89
24. Влияние ионного облучения на структуру и люминесцентные свойства пористого кремния, пропитанного вольфрам-теллуритным стеклом с примесями Er и Yb
    
    Физика твердого тела, 56:3 (2014),  607–610
25. Влияние ионного легирования на фотолюминесценцию в кремнии, связанную с дислокациями, сформированными путем имплантации ионов Si$^+$
    
    Физика и техника полупроводников, 48:2 (2014),  212–216
26. Резистивное переключение в структурах “металл–диэлектрик–металл” на основе оксида германия и стабилизированного диоксида циркония
    
    Письма в ЖТФ, 40:3 (2014),  12–19
27. Влияние режимов ионного синтеза и ионного легирования на эффект сенсибилизации излучения эрбиевых центров нанокластерами кремния в пленках диоксида кремния
    
    Физика твердого тела, 55:11 (2013),  2243–2249
28. Химический и фазовый состав пленок оксида кремния с нанокластерами, полученными путем ионной имплантации углерода
    
    Физика твердого тела, 54:2 (2012),  370–377
29. Особенности формирования и свойства светоизлучающих структур на основе ионно-синтезированных нанокристаллов кремния в матрицах SiO$_2$ и Al$_2$O$_3$
    
    Физика твердого тела, 54:2 (2012),  347–359
30. Модель фотолюминесценции ионно-синтезированных массивов нанокристаллов кремния в матрице диоксида кремния
    
    ЖТФ, 82:12 (2012),  63–66
31. Фотолюминесценция пористого кремния, пропитанного вольфрам-теллуритным стеклом с примесями редкоземельных металлов
    
    Физика твердого тела, 53:12 (2011),  2294–2298
32. Эволюция оптических свойств при отжиге многослойной нанопериодической системы SiO$_x$/ZrO$_2$, содержащей нанокластеры кремния
    
    Физика и техника полупроводников, 45:6 (2011),  747–753
33. Формирование и “белая” фотолюминесценция нанокластеров в пленках SiO$_x$, имплантированных ионами углерода
    
    Физика и техника полупроводников, 44:11 (2010),  1498–1503