Белов Алексей Иванович

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Эффекты анизотропного рассеяния в тонких пленках YBCO
   
   Физика твердого тела, 67:7 (2025),  1254–1261
2. Влияние концентрации вакансий кислорода на параметры резистивного переключения в мемристорных структурах на основе ZrO$_2$(Y)
   
   ЖТФ, 95:9 (2025),  1733–1743
3. Мемристоры для энергонезависимой резистивной памяти на основе двухслойного диэлектрика Al$_2$O$_3$/ZrO$_2$(Y)
   
   ЖТФ, 94:11 (2024),  1833–1842
4. Исследование влияния термообработки и электронагрузки на основные характеристики тонкопленочных термисторов со слоевой структурой
   
   Письма в ЖТФ, 50:6 (2024),  19–22
5. Планарные (латеральные) светоизлучающие диоды с Ge(Si)-наноостровками, встроенными в фотонный кристалл
   
   Письма в ЖТФ, 49:22 (2023),  12–15
6. Резистивное переключение мемристоров на основе стабилизированного диоксида циркония сложными сигналами
   
   Физика твердого тела, 62:4 (2020),  556–561
7. Резистивное переключение в структурах металл–оксид–полупроводник с наноостровками GeSi на подложке кремния
   
   ЖТФ, 90:10 (2020),  1741–1749
8. Электрофизические характеристики многослойных мемристивных наноструктур на основе стабилизированного иттрием диоксида циркония и оксида тантала
   
   ЖТФ, 90:2 (2020),  298–304
9. Механизмы токопереноса и резистивного переключения в конденсаторах со слоями стабилизированного иттрием диоксида гафния
   
   ЖТФ, 89:6 (2019),  927–934
10. Влияние облучения ионами Si$^{+}$ на резистивное переключение мемристивных структур на основе стабилизированного диоксида циркония
    
    Письма в ЖТФ, 45:14 (2019),  3–6
11. Особенности поведения МДП мемристоров с нанослоем Si$_{3}$N$_{4}$, изготовленных на основе проводящей подложки Si
    
    Физика и техника полупроводников, 52:12 (2018),  1436–1442
12. Влияние примеси бора на излучательные свойства дислокационных структур в кремнии, сформированных путем имплантации ионов Si$^{+}$
    
    Физика и техника полупроводников, 52:7 (2018),  702–707
13. Имитация синаптической связи нейроноподобных генераторов с помощью мемристивного устройства
    
    ЖТФ, 87:8 (2017),  1248–1254
14. Формирование гексагональной фазы кремния 9$R$ при ионной имплантации
    
    Письма в ЖТФ, 43:16 (2017),  87–92
15. Изменение иммитанса при электроформовке и резистивном переключении в мемристивных структурах “металл–диэлектрик–металл” на основе SiO$_{x}$
    
    ЖТФ, 86:5 (2016),  107–111
16. Послойный состав и структура кремния, подвергнутого совместной ионной имплантации галлия и азота для ионного синтеза GaN
    
    Физика и техника полупроводников, 50:2 (2016),  274–278
17. Резистивное переключение в мемристивных структурах Au/SiO$_{x}$/TiN/Ti с различными геометрическими параметрами и стехиометрией диэлектрической пленки
    
    Письма в ЖТФ, 42:10 (2016),  17–24
18. Влияние облучения ионами H$^+$ и Ne$^+$ на резистивное переключение в мемристивных структурах “металл–диэлектрик–металл” на основе SiO$_x$
    
    Письма в ЖТФ, 41:19 (2015),  81–89
19. Влияние ионного облучения на структуру и люминесцентные свойства пористого кремния, пропитанного вольфрам-теллуритным стеклом с примесями Er и Yb
    
    Физика твердого тела, 56:3 (2014),  607–610
20. Влияние ионного легирования на фотолюминесценцию в кремнии, связанную с дислокациями, сформированными путем имплантации ионов Si$^+$
    
    Физика и техника полупроводников, 48:2 (2014),  212–216
21. Резистивное переключение в структурах “металл–диэлектрик–металл” на основе оксида германия и стабилизированного диоксида циркония
    
    Письма в ЖТФ, 40:3 (2014),  12–19
22. Влияние режимов ионного синтеза и ионного легирования на эффект сенсибилизации излучения эрбиевых центров нанокластерами кремния в пленках диоксида кремния
    
    Физика твердого тела, 55:11 (2013),  2243–2249
23. Химический и фазовый состав пленок оксида кремния с нанокластерами, полученными путем ионной имплантации углерода
    
    Физика твердого тела, 54:2 (2012),  370–377
24. Особенности формирования и свойства светоизлучающих структур на основе ионно-синтезированных нанокристаллов кремния в матрицах SiO$_2$ и Al$_2$O$_3$
    
    Физика твердого тела, 54:2 (2012),  347–359
25. Модель фотолюминесценции ионно-синтезированных массивов нанокристаллов кремния в матрице диоксида кремния
    
    ЖТФ, 82:12 (2012),  63–66
26. Фотолюминесценция пористого кремния, пропитанного вольфрам-теллуритным стеклом с примесями редкоземельных металлов
    
    Физика твердого тела, 53:12 (2011),  2294–2298
27. Формирование и “белая” фотолюминесценция нанокластеров в пленках SiO$_x$, имплантированных ионами углерода
    
    Физика и техника полупроводников, 44:11 (2010),  1498–1503