Тихов Станислав Викторович

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Резистивное переключение в структурах металл–оксид–полупроводник с наноостровками GeSi на подложке кремния
   
   ЖТФ, 90:10 (2020),  1741–1749
2. Электрофизические характеристики многослойных мемристивных наноструктур на основе стабилизированного иттрием диоксида циркония и оксида тантала
   
   ЖТФ, 90:2 (2020),  298–304
3. Механизмы токопереноса и резистивного переключения в конденсаторах со слоями стабилизированного иттрием диоксида гафния
   
   ЖТФ, 89:6 (2019),  927–934
4. Особенности поведения МДП мемристоров с нанослоем Si$_{3}$N$_{4}$, изготовленных на основе проводящей подложки Si
   
   Физика и техника полупроводников, 52:12 (2018),  1436–1442
5. Plasmon resonance induced photoconductivity in the yttria stabilized zirconia films with embedded Au nanoclusters
   
   Физика и техника полупроводников, 52:4 (2018),  470
6. Изменение иммитанса при электроформовке и резистивном переключении в мемристивных структурах “металл–диэлектрик–металл” на основе SiO$_{x}$
   
   ЖТФ, 86:5 (2016),  107–111
7. Электрические и фотоэлектрические свойства структур металл–диэлектрик–полупроводник на основе Si с наночастицами Au на границе раздела диэлектрик/полупроводник
   
   Физика и техника полупроводников, 50:12 (2016),  1639–1643
8. Электрофизические свойства структур металл–диэлектрик–полупроводник на основе $n$-GaAs с квантовыми точками InAs, выращенными на поверхности слоя $n$-GaAs
   
   Физика и техника полупроводников, 50:12 (2016),  1615–1619
9. Стимулированное светом резистивное переключение в структурах металл–диэлектрик–полупроводник на основе кремния
   
   Письма в ЖТФ, 42:10 (2016),  78–84
10. Особенности явления неравновесного обеднения, сопровождаемого процессами захвата неосновных носителей поверхностными состояниями, в структурах металл–диэлектрик–полупроводник
    
    Письма в ЖТФ, 42:3 (2016),  52–60
11. Влияние пространственного расположения $\delta$-слоя Si на оптоэлектронные свойства гетеронаноструктур с квантовой ямой InGaAs/GaAs
    
    Физика и техника полупроводников, 49:2 (2015),  145–148
12. Моделирование эффективного профиля концентрации в гетероструктурах InGaAs/GaAs с $\delta$-легированными слоями
    
    Физика и техника полупроводников, 49:1 (2015),  53–57
13. Процесс формовки в элементах резистивной памяти на основе структур металл–диэлектрик–полупроводник
    
    Письма в ЖТФ, 40:19 (2014),  18–26
14. Конденсаторы с нелинейными характеристиками на основе стабилизированного диоксида циркония с встроенными наночастицами золота
    
    Письма в ЖТФ, 40:9 (2014),  9–16
15. Особенности пиннинга уровня Ферми на границе раздела Al$_{0.3}$Ga$_{0.7}$As с анодным оксидом и стабилизированным диоксидом циркония
    
    Письма в ЖТФ, 39:23 (2013),  72–79
16. Адмиттанс кольцевых диодных структур с квантовыми ямами InGaAs/InAlAs/InP
    
    Физика и техника полупроводников, 46:12 (2012),  1561–1565
17. Определение концентрации и подвижности электронов в окрестности квантовой ямы и $\delta$-слоя Si в гетероструктурах InGaAs/GaAs
    
    Физика и техника полупроводников, 46:12 (2012),  1532–1536
18. Малосигнальный эффект поля в квантово-размерных гетероструктурах GaAs/InAs
    
    Физика и техника полупроводников, 46:10 (2012),  1297–1303
19. Дальнодействующее влияние облучения кремния светом на фотоэдс барьера Шоттки
    
    Физика и техника полупроводников, 46:5 (2012),  641–643