RUS  ENG
Полная версия
ПЕРСОНАЛИИ

Бобыль Александр Васильевич

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

  1. Анизотропные “рентгенодифракционные” размеры кристаллитов эллипсоидной формы порошков катодного LiFePO$_4$

    Письма в ЖТФ, 50:1 (2024),  5–9
  2. Изучение порошкообразных образцов LiFePO$_4$ дифракционными рентгеновскими методами с применением искусственных нейронных сетей

    Письма в ЖТФ, 48:14 (2022),  14–17
  3. Влияние текстурирования поверхности пластин кремния для солнечных фотопреобразователей на их прочностные свойства

    ЖТФ, 90:7 (2020),  1168–1174
  4. Прочность пластин монокристаллического кремния для солнечных элементов

    ЖТФ, 90:1 (2020),  79–84
  5. Новые технологические подходы к созданию текстур и согласованию термического расширения в дизайне высокоэффективных кремниевых солнечных фотопреобразователей

    Физика и техника полупроводников, 52:13 (2018),  1675–1682
  6. Влияние толщины базы на эффективность фотопреобразования текстурированных солнечных элементов на основе кремния

    Письма в ЖТФ, 44:19 (2018),  40–49
  7. Деградация кремниевых тонкопленочных микроморфных ($\alpha$-Si/$\mu c$-Si) солнечных модулей: оценка сезонной эффективности на основе данных мониторинга

    Физика и техника полупроводников, 51:9 (2017),  1229–1234
  8. Текстура поверхности монокристаллического кремния, окисленного под тонким слоем V$_{2}$O$_{5}$

    Физика и техника полупроводников, 51:1 (2017),  105–110
  9. Электролюминесцентные исследования эффективности кремниевых гетероструктурных солнечных элементов

    Письма в ЖТФ, 43:17 (2017),  3–11
  10. Особенности моделирования эффективности фотопреобразования солнечных элементов на основе перовскитов

    Письма в ЖТФ, 43:14 (2017),  88–96
  11. Люминесценция солнечных элементов с гетеропереходом $a$-Si : H/$c$-Si

    Письма в ЖТФ, 43:10 (2017),  95–101
  12. Особенности токопрохождения в гетеропереходных солнечных элементах на основе $\alpha$-Si : H/Si

    Письма в ЖТФ, 43:3 (2017),  29–38
  13. Метод оптимизации параметров гетеропереходных фотоэлектрических преобразователей на основе кристаллического кремния

    Физика и техника полупроводников, 50:2 (2016),  259–263
  14. Исследование влияния температуры на характеристики гетеропереходных солнечных элементов на основе кристаллического кремния

    Письма в ЖТФ, 42:6 (2016),  70–76
  15. Исследование атомной, кристаллической, доменной структуры материалов на основе анализа дифракционных и абсорбционных рентгеновских данных (Обзор)

    ЖТФ, 85:11 (2015),  1–29
  16. Исследование микрокристаллического кремния методом малоуглового рассеяния рентгеновских лучей

    Физика и техника полупроводников, 49:8 (2015),  1078–1082
  17. Моделирование натурных характеристик вертикальных тандемных солнечных элементов $a$-Si : H/$\mu c$-Si : H. 2. Анализ результатов и сравнение с экспериментом

    Физика и техника полупроводников, 49:5 (2015),  707–714
  18. Моделирование натурных характеристик вертикальных тандемных солнечных элементов $a$-Si : H/$\mu c$-Si : H. 1. Общие соотношения

    Физика и техника полупроводников, 49:5 (2015),  697–706
  19. Анализ возможностей реализации высоких значений эффективности фотопреобразования в тандемных гетеропереходных тонкопленочных солнечных элементах

    Письма в ЖТФ, 41:10 (2015),  42–49
  20. Исследование влияния спектральной чувствительности фотоэлектрических модулей на основе $c$-Si, $\alpha$-Si/$\mu c$-Si и условий эксплуатации на эффективность их работы

    Письма в ЖТФ, 41:3 (2015),  17–25
  21. Особенности эксплуатации солнечной автономной гибридной энергоустановки в условиях Северо-Западного федерального округа

    ЖТФ, 84:10 (2014),  63–67
  22. Технико-экономические аспекты сетевой солнечной энергетики в России

    ЖТФ, 84:4 (2014),  85–92
  23. Пористый кремний и его применение в биологии и медицине

    ЖТФ, 84:1 (2014),  67–78
  24. Поверхность пористого кремния в процессах гидрофилизации и гидролитической деградации

    Физика и техника полупроводников, 48:9 (2014),  1243–1248
  25. Структура и электрохимические характеристики катодных материалов LiFePO$_4$ для перезаряжаемых Li-ионных батарей

    Физика твердого тела, 55:7 (2013),  1288–1297
  26. Годовые зависимости генерируемой мощности и электроэнергии для солнечных элементов на основе $a$-Si:H

    ЖТФ, 83:11 (2013),  86–91
  27. Моделирование изменения характеристик солнечных элементов на основе $a$-Si : H в течение светового дня

    ЖТФ, 83:11 (2013),  78–85
  28. Измерение микроколичеств титана на развитой поверхности кремния с помощью ячеек на основе перфторированных протонпроводящих мембран

    ЖТФ, 83:5 (2013),  147–150
  29. Методика исследования световой деградации тандемных фотопреобразователей $\alpha$-Si : H/$\mu c$-Si : H при повышенной освещенности

    Физика и техника полупроводников, 47:10 (2013),  1385–1390
  30. Изучение электронных свойств пленок гидрогенизированного аморфного кремния методами фемтосекундной спектроскопии

    Физика и техника полупроводников, 47:10 (2013),  1367–1370
  31. Анализ механизмов световой деградации в солнечных фотопреобразователях $\alpha$-Si:H/$\mu$-Si:H

    Физика и техника полупроводников, 47:9 (2013),  1264–1269
  32. Исследование свойств солнечных элементов на основе $a$-Si : H-$p$–$i$–$n$-структур с помощью спектроскопии полной проводимости

    Физика и техника полупроводников, 47:8 (2013),  1094–1101
  33. Исследование световой деградации тандемных $\alpha$-Si : H/$\mu c$-Si : H солнечных фотопреобразователей

    Физика и техника полупроводников, 47:5 (2013),  667–674
  34. Фотоиндуцированная деградация тандемных $\alpha$-Si : H/$\mu$c-Si : H фотопреобразователей при повышенных температурах

    Письма в ЖТФ, 39:20 (2013),  40–48
  35. Радиационно-стимулированная деградация поверхности GaAs и транзисторных структур с высокой подвижностью электронов

    Физика и техника полупроводников, 46:6 (2012),  833–844
  36. Температурная зависимость контактного сопротивления омических контактов на основе соединений A$^{\mathrm{III}}$B$^{\mathrm{V}}$ с высокой плотностью дислокаций

    Физика и техника полупроводников, 46:3 (2012),  348–355
  37. Мессбауэровские исследования структурных свойств и электрохимических характеристик LiFePO$_4$

    Письма в ЖТФ, 38:15 (2012),  57–66
  38. Измерение глубоких микрорельефов и стереосъемка в растровой электронной микроскопии

    ЖТФ, 81:1 (2011),  131–136
  39. Исследование влияния параметров затворной области на статические характеристики полевых СВЧ-транзисторов на основе псевдоморфных гетероструктур AlGaAs–InGaAs–GaAs

    Физика и техника полупроводников, 45:10 (2011),  1405–1409
  40. Радиационные эффекты и межфазные взаимодействия в омических и барьерных контактах к фосфиду индия, стимулированные быстрыми термическими обработками и облучением $\gamma$-квантами $^{60}$Co

    Физика и техника полупроводников, 44:12 (2010),  1607–1614
  41. Газовый термофотоэлектрический генератор на основе металлических эмиттеров и GaSb-элементов

    Физика и техника полупроводников, 44:9 (2010),  1284–1289

© МИАН, 2026