Шабунина Евгения Игоревна

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Радиационная стойкость датчиков МНПВО на основе двойных гетероструктур $p$-InAsSbP/$n$-InAs, облученных гамма-квантами
   
   ЖТФ, 96:1 (2026),  112–121
2. Исследование предельных энергетических возможностей мощных ультрафиолетовых (370 nm) матричных излучателей: токовый и температурный факторы
   
   Оптика и спектроскопия, 133:11 (2025),  1172–1175
3. Снижение внешней квантовой эффективности ультрафиолетовых светодиодов, вызванное перелегированием барьеров кремнием
   
   Физика и техника полупроводников, 59:7 (2025),  397–401
4. Биосенсоры на основе графена для детектирования маркеров нейродегенеративной деменции
   
   Письма в ЖТФ, 51:3 (2025),  13–16
5. Исследование рельефа напряжений и распределения деформаций в пленках графена биосенсоров вирусных инфекций
   
   Физика твердого тела, 65:12 (2023),  2216–2219
6. Участие дефектов, локализованных на гетерограницах, и протяженных дефектов в деградации светоизлучающих приборов на основе нитридов
   
   Оптика и спектроскопия, 131:11 (2023),  1499–1501
7. Изменение адсорбционных свойств графена в процессе получения биосенсоров вирусных инфекций
   
   Физика и техника полупроводников, 56:12 (2022),  1137–1143
8. Температурное падение эффективности мощных синих InGaN/GaN-светодиодов
   
   Письма в ЖТФ, 46:24 (2020),  45–48
9. Влияние протонного облучения (15 МэВ) на низкочастотный шум мощных SiC MOSFETs
   
   Физика и техника полупроводников, 53:12 (2019),  1604–1608
10. Влияние облучения электронами с энергией 0.9 МэВ на вольт-амперные характеристики и низкочастотные шумы 4$H$-SiC pin-диодов
    
    Физика и техника полупроводников, 53:4 (2019),  555–561
11. Многообразие свойств приборных структур на основе нитридов элементов III группы, связанное с модификацией фрактально-перколяционной системы
    
    Физика и техника полупроводников, 52:7 (2018),  804–811
12. Фрактальная природа светоизлучающих структур на основе III–N наноматериалов и связанные с ней явления
    
    Физика и техника полупроводников, 50:9 (2016),  1195–1201
13. Исследование деградации внешней квантовой эффективности ультрафиолетовых светодиодов на основе гетероструктур AlGaN/GaN, выращенных методом хлоридно-гидридной эпитаксии
    
    Письма в ЖТФ, 40:13 (2014),  73–80
14. Низкочастотный шум в исходных и деградировавших синих InGaAs/GaN-светодиодах
    
    Физика и техника полупроводников, 46:2 (2012),  219–223
15. Влияние уровня легирования кремнием и характера наноструктурной организации на падение с током внешней квантовой эффективности InGaN/GaN-светодиодов
    
    Физика и техника полупроводников, 45:3 (2011),  425–431