RUS
ENG
Полная версия
ПЕРСОНАЛИИ
Асатова Умида Пулатовна
Публикации в базе данных Math-Net.Ru
Особенности вольт-амперной характеристики гетероструктуры
$n$
-GaP–
$p$
-(InSb)
$_{1-x}$
(Sn
$_{2}$
)
$_{x}$
Письма в ЖТФ
,
46
:22 (2020),
23–26
Выращивание пленок твердого раствора Ge
$_{1-x}$
Sn
$_x$
и исследование их структурных и некоторых фотоэлектрических свойств
Физика и техника полупроводников
,
46
:8 (2012),
1111–1119
Выращивание пленок (InSb)
$_{1-x}$
(Sn
$_2$
)
$_x$
на арсенид-галлиевых подложках методом жидкофазной эпитаксии
Физика и техника полупроводников
,
44
:7 (2010),
970–977
©
МИАН
, 2026