|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru
-
Особенности вольт-амперной характеристики гетероструктуры $n$-GaP–$p$-(InSb)$_{1-x}$(Sn$_{2}$)$_{x}$
Письма в ЖТФ, 46:22 (2020), 23–26
-
Эффект инжекционного обеднения в $p$-Si–$n$-(Si$_{2}$)$_{1-x}$(ZnSe)$_{x}$ (0 $\le x\le$ 0.01) гетероструктуре
Физика и техника полупроводников, 52:9 (2018), 1066–1070
-
Получение, структура и свойства эпитаксиальных пленок (GaAs)$_{1-x-y}$(Ge$_{2}$)$_{x}$(ZnSe)$_{y}$ на основе GaAs
Физика и техника полупроводников, 50:1 (2016), 60–66
-
Жидкофазная эпитаксия твердого раствора замещения (Si$_2$)$_{1-x-y}$(Ge$_2$)$_x$(GaAs)$_y$ (0 $\le x\le$ 0.91, 0 $\le y\le$ 0.94) и некоторые электрофизические свойства
Физика и техника полупроводников, 49:4 (2015), 557–560
-
Эффект инжекционного обеднения в $p$–$n$-гетероструктурах на основе твердых растворов (Si$_2$)$_{1-x-y}$(Ge$_2$)$_x$(GaAs)$_y$, (Si$_2$)$_{1-x}$(CdS)$_x$, (InSb)$_{1-x}$(Sn$_2$)$_x$, CdTe$_{1-x}$S$_x$
Физика твердого тела, 56:12 (2014), 2319–2325
-
Cтpуктуpные и некотоpые электpофизичеcкие cвойcтва твеpдого pаcтвоpа Si$_{1-x}$Sn$_x$ (0 $\le x\le$ 0.04)
Физика твердого тела, 55:1 (2013), 36–43
-
Выращивание пленок твердого раствора Ge$_{1-x}$Sn$_x$ и исследование их структурных и некоторых фотоэлектрических свойств
Физика и техника полупроводников, 46:8 (2012), 1111–1119
-
Выращивание пленок твердого раствора (GaAs)$_{1-x}$(ZnSe)$_x$ и исследование их структурных и некоторых фотоэлектрических свойств
Физика твердого тела, 53:10 (2011), 1910–1919
-
Выращивание пленок (InSb)$_{1-x}$(Sn$_2$)$_x$ на арсенид-галлиевых подложках методом жидкофазной эпитаксии
Физика и техника полупроводников, 44:7 (2010), 970–977
-
Исследование вольт-амперной характеристики гетероструктуры $n$-CdS/$p$-CdTe в зависимости от температуры
Физика и техника полупроводников, 44:3 (2010), 330–334
-
Структурное и фотоэлектрическое исследование эпитаксиального слоя Si$_{1-x}$Sn$_x$
Письма в ЖТФ, 36:17 (2010), 104–110
© , 2026