Казанцев Дмитрий Юрьевич

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Формирование твердых растворов InPAs методом твердофазного замещения
   
   Письма в ЖТФ, 52:6 (2026),  49–52
2. Водородные дефекты в алмазах: исследование и определение содержания N$_3$VH с использованием масс-спектрометрии вторичных ионов и инфракрасной спектроскопии
   
   Оптика и спектроскопия, 133:6 (2025),  626–636
3. Фотоэлектрический приемник лазерного излучения на основе германия
   
   ЖТФ, 94:5 (2024),  801–807
4. Исследование влияния условий роста на легирование GaN углеродом из пропана и метана
   
   Физика и техника полупроводников, 58:3 (2024),  134–141
5. Процессы твердофазного замещения фосфором в InAs и InSb
   
   Письма в ЖТФ, 49:20 (2023),  20–22
6. Влияние состава источника на планарный рост нитевидных наноструктур при каталитическом росте в квазизамкнутом объеме
   
   Физика и техника полупроводников, 56:11 (2022),  1082–1087
7. Трансформация N-полярных инверсных доменов из буферных слоев AlN в процессе роста слоев AlGaN
   
   Физика и техника полупроводников, 56:7 (2022),  677–684
8. The effect of liquid Silicon on the AlN crystal growth
   
   Физика и техника полупроводников, 56:6 (2022),  527
9. Получение анизотипных гетероструктур для фотоэлектрического преобразователя на основе GaSb за счет твердофазных реакций замещения
   
   Письма в ЖТФ, 48:21 (2022),  3–5
10. Разработка и исследование туннельных $p$–$i$–$n$-диодов GaAs/AlGaAs для многопереходных преобразователей мощного лазерного излучения
    
    Физика и техника полупроводников, 54:3 (2020),  285–291
11. Исследование влияния легирования на переходные слои анизотипных гетероструктур на основе GaInAsP и InP, полученных методом МОС-гидридной эпитаксии
    
    Письма в ЖТФ, 46:19 (2020),  22–24
12. Исследование однородности состава по толщине слоев GaInAsP, полученных на подложках InP методом газофазной эпитаксии
    
    Физика и техника полупроводников, 53:11 (2019),  1512–1518
13. Квантовый выход кремниевого XUV-лавинного фотодиода в диапазоне длин волн 320–1100 nm
    
    Письма в ЖТФ, 45:24 (2019),  10–13
14. Люминесцентные свойства выращенных на InP слоев GaInAsP с градиентом состава по толщине
    
    Письма в ЖТФ, 45:20 (2019),  22–25
15. Характеристики кремниевого лавинного фотодиода для ближнего ИК-диапазона
    
    Письма в ЖТФ, 45:15 (2019),  40–42
16. Нелегированный высокоомный буферный слой GaN для HEMT AlGaN/GaN
    
    Письма в ЖТФ, 45:15 (2019),  21–24
17. Изменение характера биаксиальных напряжений при возрастании $x$ от 0 до 0.7 в слоях Al$_{x}$Ga$_{1-x}$N:Si, полученных методом аммиачной молекулярно-лучевой эпитаксии
    
    Физика и техника полупроводников, 52:2 (2018),  233–237
18. Подвижность двумерного электронного газа в DA-$p$HEMT гетроструктурах с различной шириной профиля $\delta$–$n$-слоев
    
    Физика и техника полупроводников, 52:1 (2018),  48–56
19. Исследование градиента состава слоев GaInAsP, полученных на InP методом газофазной эпитаксии
    
    Письма в ЖТФ, 44:24 (2018),  17–24
20. Влияние дозы имплантации ионов азота на концентрацию точечных дефектов, введенных в слои GaAs
    
    Письма в ЖТФ, 44:13 (2018),  44–50
21. Подвижность двумерного электронного газа в DA-$p$HEMT гетроструктурах с различной шириной профиля $\delta$–$n$-слоев
    
    Физика и техника полупроводников, 51:12 (2017),  1696
22. Формирование $p$-эмиттера с участием сурфактантов в GaAs фотоэлектрических преобразователях
    
    Физика и техника полупроводников, 51:5 (2017),  699–703
23. Исследование переходных областей гетероструктур InAsPSb/InAs, полученных методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений
    
    Письма в ЖТФ, 43:19 (2017),  78–86
24. Электрохимическое литирование кремния с разной кристаллографической ориентацией
    
    Физика и техника полупроводников, 50:7 (2016),  979–986
25. Cолнечно-слепые Al$_{x}$Ga$_{1-x}$N ($x>$ 0.45) $p$–$i$–$n$-фотодиоды с поляризационно-легированным $p$-эмиттером
    
    Письма в ЖТФ, 42:12 (2016),  57–63
26. Полуизолирующие эпитаксиальные слои GaN : С, полученные методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений с использованием пропана как источника углерода
    
    Письма в ЖТФ, 42:10 (2016),  85–91
27. О связи радиационно-стимулированной фотолюминесценции с атомами азота в $p$-4H-SiC
    
    Письма в ЖТФ, 41:23 (2015),  61–67
28. Уменьшение энергии связи доноров в слоях GaN : Si при сильном легировании
    
    Физика и техника полупроводников, 48:9 (2014),  1164–1168
29. Транспортные параметры и оптические свойства селективно-легированных гетеровалентных структур Ga(Al)As/Zn(Mn)Se с двумерным дырочным каналом
    
    Физика и техника полупроводников, 48:1 (2014),  32–35
30. Высокоэффективные фотоэлементы на основе GaSb
    
    Физика и техника полупроводников, 47:2 (2013),  273–279
31. Восстановление фотоответа кремниевых фотодиодов после облучения в вакуумном ультрафиолете
    
    Физика и техника полупроводников, 47:2 (2013),  178–181
32. Электрохимическое вольт-емкостное профилирование концентрации свободных носителей заряда в HEMT-гетероструктурах на основе соединений InGaAs/AlGaAs/GaAs
    
    Физика и техника полупроводников, 45:6 (2011),  829–835
33. Эволюция деформационного состояния и компонентного состава при изменении количества квантовых ям в многослойных структурах InGaN/GaN
    
    Физика и техника полупроводников, 45:6 (2011),  770–777
34. Влияние уровня легирования кремнием и характера наноструктурной организации на падение с током внешней квантовой эффективности InGaN/GaN-светодиодов
    
    Физика и техника полупроводников, 45:3 (2011),  425–431
35. Массоперенос при термо-электрополевой модификации стеклометаллических нанокомпозитов
    
    ЖТФ, 80:11 (2010),  53–61
36. Варизонная активная область на основе короткопериодных InGaN/GaN-сверхрешеток для мощных светоизлучающих диодов диапазона 440–470 нм
    
    Физика и техника полупроводников, 44:1 (2010),  96–100