|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru
-
Формирование твердых растворов InPAs методом твердофазного замещения
Письма в ЖТФ, 52:6 (2026), 49–52
-
Процессы твердофазного замещения фосфором в InAs и InSb
Письма в ЖТФ, 49:20 (2023), 20–22
-
Получение анизотипных гетероструктур для фотоэлектрического преобразователя на основе GaSb за счет твердофазных реакций замещения
Письма в ЖТФ, 48:21 (2022), 3–5
-
Исследование влияния легирования на переходные слои анизотипных гетероструктур на основе GaInAsP и InP, полученных методом МОС-гидридной эпитаксии
Письма в ЖТФ, 46:19 (2020), 22–24
-
Исследование однородности состава по толщине слоев GaInAsP, полученных на подложках InP методом газофазной эпитаксии
Физика и техника полупроводников, 53:11 (2019), 1512–1518
-
Люминесцентные свойства выращенных на InP слоев GaInAsP с градиентом состава по толщине
Письма в ЖТФ, 45:20 (2019), 22–25
-
Исследование градиента состава слоев GaInAsP, полученных на InP методом газофазной эпитаксии
Письма в ЖТФ, 44:24 (2018), 17–24
-
Исследование переходных областей гетероструктур InAsPSb/InAs, полученных методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений
Письма в ЖТФ, 43:19 (2017), 78–86
-
Формирование тройных твердых растворов A$^{\mathrm{III}}$B$^{\mathrm{V}}$ на пластинах GaAs и GaSb за счет твердофазных реакций замещения
Физика и техника полупроводников, 49:7 (2015), 984–988
-
Получение наноразмерных слоев твердых растворов GaAsP на GaAs за счет твердофазных реакций замещения
Письма в ЖТФ, 39:10 (2013), 49–53
-
Твердые растворы AlInAsSb и AlGaInAsSb для барьерных слоев источников излучения спектрального диапазона 3–5 $\mu$m, полученные методом газофазной эпитаксии из металлорганических соединений
Письма в ЖТФ, 38:19 (2012), 66–74
-
Исследование свойств слоев узкозонных (0.3–0.48 eV) твердых растворов A$^3$B$^5$, полученных методом газофазной эпитаксии из металлорганических соединений
Письма в ЖТФ, 38:9 (2012), 23–30
© , 2026