Гагис Галина Сергеевна

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Формирование твердых растворов InPAs методом твердофазного замещения
   
   Письма в ЖТФ, 52:6 (2026),  49–52
2. Оптическая диагностика гетероструктур на основе InGaAsP/InP(001)
   
   Письма в ЖТФ, 50:15 (2024),  47–50
3. Процессы твердофазного замещения фосфором в InAs и InSb
   
   Письма в ЖТФ, 49:20 (2023),  20–22
4. Получение анизотипных гетероструктур для фотоэлектрического преобразователя на основе GaSb за счет твердофазных реакций замещения
   
   Письма в ЖТФ, 48:21 (2022),  3–5
5. Исследование влияния легирования на переходные слои анизотипных гетероструктур на основе GaInAsP и InP, полученных методом МОС-гидридной эпитаксии
   
   Письма в ЖТФ, 46:19 (2020),  22–24
6. Исследование однородности состава по толщине слоев GaInAsP, полученных на подложках InP методом газофазной эпитаксии
   
   Физика и техника полупроводников, 53:11 (2019),  1512–1518
7. Люминесцентные свойства выращенных на InP слоев GaInAsP с градиентом состава по толщине
   
   Письма в ЖТФ, 45:20 (2019),  22–25
8. Исследование градиента состава слоев GaInAsP, полученных на InP методом газофазной эпитаксии
   
   Письма в ЖТФ, 44:24 (2018),  17–24
9. Исследование переходных областей гетероструктур InAsPSb/InAs, полученных методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений
   
   Письма в ЖТФ, 43:19 (2017),  78–86
10. Релаксация напряжений в InGaAsP/InP-гетероструктурах для преобразователей лазерного излучения с длиной волны 1064 nm
    
    Письма в ЖТФ, 43:2 (2017),  3–9
11. Формирование тройных твердых растворов A$^{\mathrm{III}}$B$^{\mathrm{V}}$ на пластинах GaAs и GaSb за счет твердофазных реакций замещения
    
    Физика и техника полупроводников, 49:7 (2015),  984–988
12. Получение наноразмерных слоев твердых растворов GaAsP на GaAs за счет твердофазных реакций замещения
    
    Письма в ЖТФ, 39:10 (2013),  49–53
13. Твердые растворы AlInAsSb и AlGaInAsSb для барьерных слоев источников излучения спектрального диапазона 3–5 $\mu$m, полученные методом газофазной эпитаксии из металлорганических соединений
    
    Письма в ЖТФ, 38:19 (2012),  66–74
14. Исследование свойств слоев узкозонных (0.3–0.48 eV) твердых растворов A$^3$B$^5$, полученных методом газофазной эпитаксии из металлорганических соединений
    
    Письма в ЖТФ, 38:9 (2012),  23–30