Исаев Владимир Александрович

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. CVD-алмазные структуры с $p$–$n$-переходом — диоды и транзисторы
   
   ЖТФ, 95:3 (2025),  540–548
2. Исследование фото- и электролюминесценции центров окраски, связанных с азотом, в алмазном $p$–$i$–$n$-диоде
   
   Письма в ЖТФ, 51:10 (2025),  48–51
3. Электролюминесценция центров окраски германий–вакансия в алмазном $p$–$i$–$n$-диоде
   
   Письма в ЖТФ, 51:8 (2025),  3–6
4. Невплавные омические контакты с пониженным сопротивлением к эпитаксиальным слоям алмаза $p$- и $n$-типа и их термическая стабильность
   
   Физика и техника полупроводников, 58:8 (2024),  409–414
5. Переход между законами Мотта и Аррениуса в температурных зависимостях сопротивлений сильно легированных бором дельта-слоев в искусственном алмазе
   
   Физика и техника полупроводников, 57:4 (2023),  259–264
6. Investigation of boron-doped delta layers in CVD diamond grown on single-sector HPHT substrates
   
   Наносистемы: физика, химия, математика, 13:5 (2022),  578–584
7. Формирование многослойных наноструктур NV-центров в монокристаллическом CVD-алмазе
   
   Письма в ЖТФ, 46:13 (2020),  19–23
8. Использование импульсного лазерного отжига для формирования омических контактов Mo/Ti к алмазу
   
   Письма в ЖТФ, 46:11 (2020),  34–38
9. Исследование формирования омических контактов Au/Mo/Ti с пониженным сопротивлением к эпитаксиальным слоям алмаза $p$-типа
   
   ЖТФ, 89:12 (2019),  1923–1932
10. Омические контакты к эпитаксиальным структурам CVD-алмаза с дельта-слоями бора
    
    Физика и техника полупроводников, 53:10 (2019),  1386–1390
11. Erratum to: “Atomic composition and electrical characteristics of epitaxial CVD diamond layers doped with boron”
    
    Физика и техника полупроводников, 51:8 (2017),  1151
12. Формирование сингулярных (001) террас на поверхности монокристаллических HPHT алмазных подложек
    
    Физика и техника полупроводников, 50:12 (2016),  1647–1651
13. Атомный состав и электрофизические характеристики эпитаксиальных слоев CVD алмаза, легированных бором
    
    Физика и техника полупроводников, 50:12 (2016),  1595–1598
14. Влияние лазерного облучения на структуру и свойства столбчатых диэлектрических кластеров в сверхпроводящих пленках YBaCuO
    
    ЖТФ, 83:2 (2013),  82–90
15. Влияние кластеризации потока на толщину пленок, осажденных при магнетронном и импульсном лазерном распылении металлооксидов
    
    Письма в ЖТФ, 38:5 (2012),  63–70
16. Разупорядочение электронной структуры аморфных пленок YBaCuO при включении в их состав кристаллических кластеров, формирующихся в лазерной плазме
    
    Физика твердого тела, 53:1 (2011),  15–23