Зубов Александр Викторович

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. О диполь-дипольном взаимодействии атомов в слоях, адсорбированных на трехмерных и двумерных полупроводниках
   
   Физика твердого тела, 62:8 (2020),  1302–1305
2. Разработка технологии и исследование сверхвысокочастотных переключателей на основе 4$H$-SiC $p$–$i$–$n$-диодов
   
   ЖТФ, 90:2 (2020),  264–267
3. Raman studies of graphene films grown on 4$H$-SiC subjected to deposition of Ni
   
   Физика и техника полупроводников, 54:12 (2020),  1388
4. Гетероструктура 2D SiC/Si: электронные состояния и адсорбционная способность
   
   Физика и техника полупроводников, 54:7 (2020),  663–669
5. Точно решаемая модель графеновой наноленты с зигзагообразными краями
   
   Физика и техника полупроводников, 54:2 (2020),  170–175
6. Модельные оценки квантовой емкости графеноподобных наноструктур
   
   Письма в ЖТФ, 46:23 (2020),  19–21
7. Терагерцевый ближнепольный отклик в лентах графена
   
   Письма в ЖТФ, 46:15 (2020),  29–32
8. Модельные оценки квантовой емкости графеновых наноструктур
   
   Письма в ЖТФ, 46:15 (2020),  7–9
9. Исследование чувствительной способности графена для применений в качестве биосенсоров
   
   Письма в ЖТФ, 46:10 (2020),  3–6
10. Интеркалирование графена на карбиде кремния кобальтом
    
    Физика твердого тела, 61:7 (2019),  1374–1384
11. Влияние облучения электронами высокой энергии на характеристики ударных токов высоковольтных интегрированных 4$H$-SiC $p$–$n$-диодов Шоттки
    
    Физика и техника полупроводников, 53:10 (2019),  1448–1452
12. Роль кулоновского взаимодействия электронов адсорбата и субстрата: модель поверхностного димера
    
    Письма в ЖТФ, 45:18 (2019),  21–23
13. Исследование влияния структурных дефектов на спектры фотолюминесценции в $n$-3$C$-SiC
    
    Письма в ЖТФ, 45:11 (2019),  28–30
14. Модель поверхностного димера в задаче об адсорбции
    
    Письма в ЖТФ, 45:9 (2019),  40–42


15. Comparative study of conventional and quasi-freestanding epitaxial graphenes grown on 4$H$-SiC substrate
    
    Физика и техника полупроводников, 54:12 (2020),  1383