Мясоедов Александр Владимирович

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Оптическая спектроскопия метаморфных гетероструктур с квантовыми точками InAs/InGaAs, излучающими в диапазоне $\sim$ 1.55 мкм
   
   Письма в ЖЭТФ, 123:1 (2026),  3–12
2. Буферные структуры GaAs/Si, полученные методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений
   
   Письма в ЖТФ, 52:7 (2026),  48–52
3. Влияние термической обработки на оптические и электрофизические свойства $\alpha$-GeTe
   
   Физика твердого тела, 67:12 (2025),  2448–2452
4. Применение композитных подложек 6H-SiC/3C-SiC(001) для выращивания кубического политипа карбида кремния методом сублимации
   
   Физика и техника полупроводников, 59:5 (2025),  294–297
5. Особенности кристаллизации промежуточного слоя кремния в процессе переноса тонкого слоя 3C-SiC(001) на 6H-SiC(0001)-подложку
   
   Письма в ЖТФ, 51:4 (2025),  11–14
6. Взаимодействие карбида кремния с расплавом кремния, образующимся в условиях прямого сращивания эпитаксиальных структур 3C-SiC/Si с пластинами 6H-SiC
   
   Физика и техника полупроводников, 58:9 (2024),  501–504
7. Особенности микроструктуры наноразмерных преципитатов AsSb в LT-GaAsSb
   
   Физика твердого тела, 65:12 (2023),  2309–2316
8. Структурная трансформация тонких пленок $\alpha$- и $\kappa$-Ga$_2$O$_3$ на сапфире при отжиге на воздухе
   
   Физика твердого тела, 65:10 (2023),  1715–1721
9. Выявление и исследование 60$^\circ$-поворотных доменов в $\alpha$-Ga$_2$O$_3$ методом просвечивающей электронной микроскопии
   
   Физика твердого тела, 65:1 (2023),  43–48
10. Дислокационная структура темплейтов AlN/SiC, выращенных методом сублимации
    
    Физика и техника полупроводников, 57:8 (2023),  648–651
11. Дефектная структура пленки $\alpha$-Ga$_2$O$_3$, выращенной на $m$-грани подложки сапфира, по данным просвечивающей электронной микроскопии
    
    Письма в ЖТФ, 49:2 (2023),  26–29
12. Влияние морфологии буферного слоя AlN на структурное качество полуполярного слоя GaN, выращенного на подложке Si(001), по данным просвечивающей электронной микроскопии
    
    Письма в ЖТФ, 48:5 (2022),  51–54
13. Исследование структурных особенностей дентина методами микротомографии и просвечивающей электронной микроскопии
    
    ЖТФ, 90:9 (2020),  1449–1461
14. ПЭМ-исследование многослойных буферных структур AlN–AlGaN–GaN на кремниевых подложках
    
    Письма в ЖТФ, 46:19 (2020),  50–54
15. Повышение эффективности фильтрации прорастающих дислокаций в темплейтах AlN/$c$-Al$_{2}$O$_{3}$ с фасетированной морфологией поверхности во время их роста методом молекулярно-пучковой эпитаксии
    
    Письма в ЖТФ, 46:11 (2020),  26–30
16. Снижение плотности прорастающих дислокаций в темплейтах AlN/$c$-сапфир, выращенных методом плазменно-активированной молекулярно-пучковой эпитаксии
    
    Письма в ЖТФ, 46:8 (2020),  36–39
17. Дислокационные реакции в полуполярном слое GaN, выращенном на вицинальной подложке Si(001) с использованием буферных слоев AlN и 3$C$-SiC
    
    Физика твердого тела, 61:12 (2019),  2317–2321
18. Асимметрия дефектной структуры полуполярного GaN, выращенного на Si(001)
    
    Письма в ЖТФ, 44:20 (2018),  53–61
19. Эффект воздействия $n$- и $p$-типа проводимости подложки Si(100) с буферным слоем SiC на механизм роста и структуру эпитаксиальных слоев полуполярных AlN и GaN
    
    Физика твердого тела, 57:10 (2015),  1916–1921
20. Рост и структура слоев GaN, выращенных на SiC, синтезированном на подложке Si методом замещения атомов: модель образования V-дефектов при росте GaN
    
    Физика твердого тела, 57:9 (2015),  1850–1858
21. Эпитаксия полуполярного GaN на подложке Si(001) с буферным слоем SiC
    
    Письма в ЖТФ, 40:9 (2014),  48–54
22. Последовательная структурная характеризация слоев в системе GaN/AlN/SiC/Si(111) методом рентгеновской дифрактометрии после каждой стадии их образования
    
    Письма в ЖТФ, 39:22 (2013),  25–32