Гаджиев Идрис Мирзебалович

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Памяти Серенкова И.Т. Кремниевый лавинный фотодиод с фронтом нарастания фотоотклика меньше 350 ps на длине волны 1064 nm
   
   Письма в ЖТФ, 50:6 (2024),  15–18
2. Генерация пикосекундных импульсов волоконным лазером с полупроводниковым оптическим усилителем в спектральном диапазоне 1.06 $\mu$m
   
   Письма в ЖТФ, 48:21 (2022),  14–16
3. Быстродействующие фотодетекторы оптического диапазона 950–1100 nm на основе In$_{0.4}$Ga$_{0.6}$As/GaAs-наноструктур квантовая яма-точки
   
   Письма в ЖТФ, 46:24 (2020),  11–14
4. Генерация пикосекундных импульсов лазерами с распределенной обратной связью с длиной волны 1064 nm
   
   Письма в ЖТФ, 46:7 (2020),  12–15
5. Кинетика фосфоресценции синглетного кислорода в клетках HeLa в суспензии
   
   Письма в ЖТФ, 45:18 (2019),  33–36
6. Спектральные характеристики питательной среды DMEM
   
   ЖТФ, 88:9 (2018),  1344–1347
7. Люминесценция водного раствора фотосенсибилизатора Радахлорин при возбуждении в полосах 405 и 605 nm
   
   Оптика и спектроскопия, 124:1 (2018),  51–55
8. Режимы излучения двухсекционных лазеров спектрального диапазона 1.06 $\mu$m с активной областью на основе квантовых точек
   
   Письма в ЖТФ, 44:21 (2018),  30–39
9. Синхронизация мод в лазерах спектрального диапазона 1.55 $\mu$m на основе “тонких” квантовых ям
   
   Письма в ЖТФ, 44:4 (2018),  95–102
10. Усилительные свойства “тонких” упруго напряженных квантовых ям InGaAs/InGaAlAs, излучающих в ближнем инфракрасном спектральном диапазоне вблизи 1550 нм
    
    Физика и техника полупроводников, 50:10 (2016),  1429–1433
11. Переключение между режимами синхронизации мод и модуляции добротности в двухсекционных лазерах с квантовыми ямами при изменении свойств поглотителя за счет эффекта Штарка
    
    Физика и техника полупроводников, 50:6 (2016),  843–847
12. Влияние эффекта Штарка на увеличение мощности в двухсекционных лазерах с квантовыми ямами в режиме модуляции добротности
    
    Письма в ЖТФ, 41:20 (2015),  30–36
13. Влияние толщины прослойки GaAs на квантовое связывание и оптическую поляризацию вертикально-коррелированной 10-слойной системы квантовых точек InAs/GaAs
    
    Физика и техника полупроводников, 48:8 (2014),  1059–1064
14. Ширина линии радиочастотного спектра в лазерах на квантовой яме с пассивной синхронизацией мод
    
    Письма в ЖТФ, 39:3 (2013),  41–48
15. Поляризационные зависимости электролюминесценции и поглощения вертикально-коррелированных InAs/GaAs-квантовых точек
    
    Физика и техника полупроводников, 46:1 (2012),  96–102
16. Влияние ширины барьера в структуре с двумя асимметричными связанными квантовыми ямами на область существования пассивной синхронизации мод
    
    Письма в ЖТФ, 38:7 (2012),  31–39
17. Синхронизация мод на высших гармониках в лазерах на квантовых точках с туннельно-связанными волноводами
    
    Письма в ЖТФ, 38:2 (2012),  25–31
18. Оптическое поглощение в сверхрешетках квантовых точек InAs/GaAs в электрическом поле при комнатной температуре
    
    Физика и техника полупроводников, 45:8 (2011),  1095–1101
19. Пассивная синхронизация мод в лазерах на сверхрешетке из квантовых точек
    
    Письма в ЖТФ, 37:18 (2011),  31–36
20. Особенности синхронизации мод в лазерах с квантовой ямой в широком волноводном слое
    
    Письма в ЖТФ, 36:22 (2010),  29–36
21. Быстродействующие $p$–$i$–$n$-фотодиоды для спектрального диапазона 0.9–2.4 $\mu$m
    
    Письма в ЖТФ, 36:9 (2010),  43–49