Слепчук Н

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Влияние температуры протонного облучения на характеристики мощных высоковольтных карбид-кремниевых диодов Шоттки
   
   Письма в ЖТФ, 46:6 (2020),  35–37
2. Низкотемпературный отжиг слаболегированных слоев $n$-4$H$-SiC после облучения быстрыми электронами
   
   Физика и техника полупроводников, 53:7 (2019),  991–994
3. Токи утечки в 4H-SiC-диодах Шоттки с интегрированной шоттки–($p$–$n$-структурой)
   
   Физика и техника полупроводников, 46:3 (2012),  411–415
4. Исследование $p$–$n$-переходов на основе 4H-SiC, изготовленных имплантацией бора, методом нестационарной емкостной спектроскопии
   
   Физика и техника полупроводников, 45:10 (2011),  1358–1362