Давыдовская Клавдия Сергеевна

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Влияние температуры облучения на скорость удаления носителей в GaN
   
   Физика и техника полупроводников, 59:4 (2025),  227–229
2. Температурная зависимость скорости удаления носителей в 4H-SiC
   
   Физика и техника полупроводников, 58:9 (2024),  482–484
3. Отжиг высоковольтных 4H-SiC диодов Шоттки, облученных электронами при высокой температуре
   
   Физика и техника полупроводников, 56:4 (2022),  441–445
4. Влияние температуры протонного облучения на характеристики мощных высоковольтных карбид-кремниевых диодов Шоттки
   
   Письма в ЖТФ, 46:6 (2020),  35–37
5. Гальванические и емкостные эффекты при компенсации проводимости $n$-SiC радиационными дефектами
   
   Физика и техника полупроводников, 52:12 (2018),  1532–1534
6. Влияние энергии бомбардирующих электронов на проводимость эпитаксиальных слоев $n$-4$H$-SiC (CVD)
   
   Физика и техника полупроводников, 51:3 (2017),  311–316
7. Исследование воздействия электронного и протонного облучения на приборные структуры на основе 4$H$-SiC
   
   Письма в ЖТФ, 43:22 (2017),  63–67