Публикации в базе данных Math-Net.Ru
-
Буферные структуры GaAs/Si, полученные методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений
Письма в ЖТФ, 52:7 (2026), 48–52
-
Применение покрытий AlN для защиты поверхности гетероструктур системы AlGaAs/GaAs от взаимодействия с атмосферным кислородом
Письма в ЖТФ, 46:6 (2020), 16–19
-
Фазовый состав, морфология, оптические и электронные характеристики наноразмерных пленок AlN, выращенных на подложках GaAs(100) с разориентацией
Физика и техника полупроводников, 53:11 (2019), 1584–1592
-
Образование дефектов в структурах GaAs с непокрытой и покрытой пленкой AlN поверхностями при имплантации ионов азота и последующем отжиге
Физика и техника полупроводников, 53:4 (2019), 437–440
-
Топография поверхности и оптические характеристики тонких пленок AlN на подложке GaAs (100), полученных методом реактивного ионно-плазменного распыления
Письма в ЖТФ, 45:5 (2019), 38–41
© , 2026