|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru
-
Структура и рекомбинационные свойства двойниковых границ в $\kappa$-фазе оксида галлия
Физика твердого тела, 65:12 (2023), 2194–2197
-
Влияние химико-механической обработки кремниевых пластин на морфологию их поверхности и прочность
ЖТФ, 93:5 (2023), 643–653
-
Рекордно толстые эпитаксиальные слои $\kappa(\varepsilon)$-Ga$_2$O$_3$, выращенные на GaN/$c$-сапфире
ЖТФ, 93:3 (2023), 403–408
-
Тонкие монокристаллические слои $\alpha$-Cr$_2$O$_3$, выращенные на подложках сапфира в реакторе ультразвуковой паровой химической эпитаксии
Письма в ЖТФ, 49:10 (2023), 43–46
-
Дефектная структура пленки $\alpha$-Ga$_2$O$_3$, выращенной на $m$-грани подложки сапфира, по данным просвечивающей электронной микроскопии
Письма в ЖТФ, 49:2 (2023), 26–29
-
Электропроводящие и фотоэлектрические свойства гетероструктур на основе оксидов галлия и хрома со структурой корунда
Письма в ЖТФ, 48:22 (2022), 24–27
-
Получение толстых слоев $\varepsilon(\kappa)$-Ga$_2$O$_3$ методом хлоридной эпитаксии
Письма в ЖТФ, 48:19 (2022), 35–38
-
Исследование прочности тонких пластин кремния в зависимости от методов обработки их поверхности при утонении
Письма в ЖТФ, 48:17 (2022), 28–32
-
Газочувствительные свойства пленок твердого раствора In$_2$O$_3$–Ga$_2$O$_3$
Письма в ЖТФ, 48:14 (2022), 37–41
-
Влияние влажности окружающей среды на электрическую проводимость полиморфных Ga$_{2}$O$_{3}$-структур
Физика и техника полупроводников, 55:3 (2021), 269–276
-
Толстые эпитаксиальные слои $\alpha$-Ga$_{2}$O$_{3}$ : Sn на профилированной сапфировой подложке
Письма в ЖТФ, 46:5 (2020), 27–29
-
Межфазные напряжения и аномальный вид кривых псевдоупругой деформации в кристаллах сплава Ni$_{49}$Fe$_{18}$Ga$_{27}$Co$_{6}$, деформированных сжатием в направлении оси [011]$_{A}$
ЖТФ, 89:6 (2019), 873–881
-
Толстые слои $\alpha$-Ga$_{2}$O$_{3}$ на сапфировых подложках, полученные методом хлоридной эпитаксии
Физика и техника полупроводников, 53:6 (2019), 789–792
-
Хлоридная эпитаксия слоев $\beta$-Ga$_{2}$O$_{3}$ на сапфировых подложках базисной ориентации
Физика и техника полупроводников, 50:7 (2016), 997–1000
© , 2026