Публикации в базе данных Math-Net.Ru
-
Массивы квазиодномерных нанокристаллов GaAs, выращенные на окисленной поверхности гетероструктуры Si/GaAs(001): влияние толщины эпитаксиального слоя Si на строение массива
Письма в ЖТФ, 49:3 (2023), 37–41
-
Маска на основе эпитаксиального слоя Si для самокаталитического роста нитевидных нанокристаллов на подложках GaAs (111)$B$ и (100)
Письма в ЖТФ, 46:4 (2020), 11–14
-
Метод диффузии цинка в InP через узкий зазор с использованием планарного источника на основе Zn$_{3}$P$_{2}$
Письма в ЖТФ, 44:14 (2018), 19–25
-
Эффективные излучатели одиночных фотонов на основе селективно-позиционированных InAs-квантовых точек и брэгговских микрорезонаторов
Физика и техника полупроводников, 49:1 (2015), 35–40
-
Одномодовые лазеры с вертикальным резонатором для миниатюрного атомного эталона частоты на основе атомов $^{87}$Rb
Физика и техника полупроводников, 44:11 (2010), 1470–1474
© , 2026