Малышева Евгения Игоревна

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Управление магнитными характеристиками спиновых светодиодов с магнитной системой “дельта-слой Mn–квантовая яма InGaAs/GaAs” за счет дельта-легирования акцепторной примесью
   
   Физика твердого тела, 67:7 (2025),  1348–1353
2. Модификация функциональных характеристик спиновых светоизлучающих диодов InGaAs/GaAs/Al$_2$O$_3$/CoPt
   
   Физика твердого тела, 66:2 (2024),  184–189
3. Дальнодействующее магнитное взаимодействие в гетероструктурах InGaAs/GaAs/$\delta$-$\langle$Mn$\rangle$
   
   Письма в ЖТФ, 46:2 (2020),  40–43
4. Повышение рабочей температуры спиновых светоизлучающих диодов (Ga,Mn)As/GaAs путeм постростовых воздействий
   
   Физика твердого тела, 60:11 (2018),  2141–2146
5. Особенности электрохимического вольт-фарадного профилирования арсенид-галлиевых светоизлучающих и pHEMT-структур с квантово-размерными областями
   
   Физика и техника полупроводников, 52:8 (2018),  873–880
6. Управление циркулярной поляризацией электролюминесценции в спиновых светоизлучающих диодах на основе гетероструктур InGaAs/GaAs/$\delta$ $\langle$Mn$\rangle$
   
   Физика твердого тела, 59:11 (2017),  2142–2147
7. Гетероструктуры с квантовыми точками InGaAs / GaAs, легированными атомами переходных элементов. II. Исследование циркулярно-поляризованной люминесценции
   
   ЖТФ, 87:10 (2017),  1539–1544
8. Гетероструктуры с квантовыми точками InGaAs/GaAs, легированными атомами переходных элементов. I. Фотолюминесцентные свойства
   
   ЖТФ, 87:9 (2017),  1389–1394
9. Туннелирование и инжекция в ферромагнитных структурах InGaAs/GaAs/(Ga,Mn)As и InGaAs/$n^{+}$-GaAs/(Ga,Mn)As
   
   Физика твердого тела, 58:11 (2016),  2190–2194
10. Влияние концентрации примесей на люминесцентные свойства спиновых светоизлучающих диодов InGaAs/GaAs с $\delta$-слоем Mn
    
    Физика и техника полупроводников, 50:1 (2016),  3–8
11. Циркулярно-поляризованная электролюминесценция светоизлучающих диодов InGaAs/GaAs/(A$^{\mathrm{III}}$, Mn)B$^{\mathrm{V}}$ на основе структур с туннельным барьером
    
    Физика и техника полупроводников, 49:11 (2015),  1497–1500
12. Особенности излучательных характеристик гетероструктур InGaAs/GaAs с квантовыми ямами и точками, облученных нейтронами
    
    Физика и техника полупроводников, 49:3 (2015),  370–375
13. Эпитаксиальное выращивание слоев MnGa/GaAs для диодов со спиновой инжекцией
    
    Физика твердого тела, 56:10 (2014),  2062–2065
14. Спиновая инжекция электронов в светоизлучающих диодах на основе структур GaMnAs/GaAs/InGaAs с туннельным переходом
    
    ЖТФ, 84:12 (2014),  102–106
15. Светоизлучающие диоды с ферромагнитным инжектирующим слоем на основе гетероструктур GaMnSb/InGaAs/ GaAs
    
    Физика и техника полупроводников, 46:12 (2012),  1554–1560
16. Спиновые светоизлучающие диоды на основе гетероструктур с квантовой ямой GaAs/InGaAs/GaAs и ферромагнитным инжектирующим слоем GaMnSb
    
    Письма в ЖТФ, 38:16 (2012),  69–77
17. Светодиоды на основе гетероструктур InGaAs/GaAs с магнитоуправляемой электролюминесценцией
    
    Письма в ЖТФ, 37:24 (2011),  57–65