Пантелеев Валерий Николаевич

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Анизотропные напряжения в слоях $\mathrm{GaN}(11\bar20)$ на подложке $r$-$\mathrm{Al}_2\mathrm{O}_3$ при хлорид-гидридной газофазной эпитаксии
   
   Физика и техника полупроводников, 56:3 (2022),  266–270
2. Пластическая релаксация напряженного полуполярного AlN(10$\bar1$1) слоя, синтезированного на наноструктурированной Si(100) подложке
   
   ЖТФ, 90:12 (2020),  2123–2126
3. Газофазная эпитаксия слоев AlN на темплейте AlN/Si(111), синтезированном методом реактивного магнетронного распыления
   
   Письма в ЖТФ, 46:8 (2020),  29–31
4. Хлорид-гидридная газофазная эпитаксия полуполярного слоя AlN(10$\bar{1}$2) на наноструктурированной подложке Si(100)
   
   Письма в ЖТФ, 46:2 (2020),  12–14
5. Синтез гексагональных слоев AlN и GaN на Si(100)-подложке методом хлоридной газофазной эпитаксии
   
   ЖТФ, 89:4 (2019),  574–577
6. Эпитаксия слоев GaN(0001) или GaN(10$\bar1$1) на подложке Si(100)
   
   Письма в ЖТФ, 45:11 (2019),  3–5
7. Гексагональные слои AlN, выращенные на сульфидированной Si(100)-подложке
   
   Письма в ЖТФ, 44:2 (2018),  96–103
8. Остановка и разворот дислокаций несоответствия при росте нитрида галлия на подложках SiC/Si
   
   Физика твердого тела, 59:4 (2017),  660–667
9. Локальные термоэлектрические эффекты в широкозонных полупроводниках
   
   Физика и техника полупроводников, 51:7 (2017),  921–924
10. Влияние поверхностно-активных веществ на эпитаксиальный рост нитрида галлия, выращенного из газовой фазы в системе Ga–HCl–NH$_3$–H$_2$–Ar
    
    Письма в ЖТФ, 41:10 (2015),  29–34
11. Механизм формирования контактного сопротивления к A$^3$N гетероструктурам с высокой плотностью дислокаций
    
    Физика и техника полупроводников, 47:9 (2013),  1191–1195
12. Арсенид-галлиевые $p$–$i$–$n$-структуры для детекторов рентгеновского излучения на германиевых и арсенид-галлиевых подложках
    
    Письма в ЖТФ, 38:9 (2012),  1–7
13. Генерирование широкополосного гауссовского случайного сигнала
    
    Письма в ЖТФ, 36:15 (2010),  102–110


14. Comparative study of conventional and quasi-freestanding epitaxial graphenes grown on 4$H$-SiC substrate
    
    Физика и техника полупроводников, 54:12 (2020),  1383