Публикации в базе данных Math-Net.Ru
-
Матричный радиолокатор трехмиллиметрового диапазона с зеркальным объективом
Письма в ЖТФ, 50:14 (2024), 33–36
-
Гетероэпитаксиальные слои Ge/Si(001), легированные в процессе HW CVD испарением примеси из сублимирующего Ge-источника
Физика и техника полупроводников, 57:9 (2023), 719–724
-
Влияние состава зародышевого слоя AlGaAs на формирование антифазных доменов в структурах (Al)GaAs, выращенных газофазной эпитаксией на подложках Ge/Si(100)
Письма в ЖТФ, 47:8 (2021), 37–40
-
Усиленная фотолюминесценция сильно легированных слоев Ge/Si(001) $n$-типа проводимости
Физика и техника полупроводников, 53:9 (2019), 1293–1296
-
Туннельные диоды на базе эпитаксиальных структур $n^{+}$-Ge/$p^{+}$-Si(001), выращенных методом горячей проволоки
Физика и техника полупроводников, 53:9 (2019), 1267–1270
© , 2026