RUS  ENG
Полная версия
ПЕРСОНАЛИИ

Панайотти Ирина Евгеньевна

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

  1. Исследование температурной зависимости световых вольт-амперных характеристик кремниевых гетероструктурных солнечных элементов

    Письма в ЖТФ, 52:6 (2026),  27–30
  2. Влияние параметров кристаллической подложки на максимальную мощность кремниевых гетеропереходных солнечных элементов

    Письма в ЖТФ, 47:24 (2021),  20–23
  3. Метод расчета рабочих характеристик кремниевых гетеропереходных солнечных элементов с произвольными параметрами кристаллической подложки

    Письма в ЖТФ, 46:17 (2020),  3–5
  4. Исследование влияния радиации на рекомбинационные потери в гетеропереходных солнечных элементах на основе монокристаллического кремния

    Письма в ЖТФ, 45:5 (2019),  9–12
  5. Исследование характеристик гетеропереходных солнечных элементов на основе тонких пластин монокристаллического кремния

    Физика и техника полупроводников, 52:7 (2018),  792–795
  6. Влияние размерного квантования на спиновую поляризацию дырок в структурах с квантовыми ямами разбавленного магнитного полупроводника (Ga,Mn)As/AlAs

    Физика твердого тела, 59:11 (2017),  2240–2245
  7. Электролюминесцентные исследования эффективности кремниевых гетероструктурных солнечных элементов

    Письма в ЖТФ, 43:17 (2017),  3–11
  8. Метод оптимизации параметров гетеропереходных фотоэлектрических преобразователей на основе кристаллического кремния

    Физика и техника полупроводников, 50:2 (2016),  259–263
  9. Исследование влияния температуры на характеристики гетеропереходных солнечных элементов на основе кристаллического кремния

    Письма в ЖТФ, 42:6 (2016),  70–76
  10. Анализ возможностей реализации высоких значений эффективности фотопреобразования в тандемных гетеропереходных тонкопленочных солнечных элементах

    Письма в ЖТФ, 41:10 (2015),  42–49
  11. Переходные характеристики реверсивно-включаемых динисторов в субмикросекундном диапазоне

    Письма в ЖТФ, 38:8 (2012),  81–88
  12. Взаимодействие поляризованного света с гребешковыми металлизированными наноструктурами

    Письма в ЖТФ, 38:4 (2012),  34–40


© МИАН, 2026