RUS
ENG
Полная версия
ПЕРСОНАЛИИ
Эполетов В С
Публикации в базе данных Math-Net.Ru
Контактные системы “мостикового” типа в InGaAs/InP фотоэлектрических преобразователях
ЖТФ
,
96
:2 (2026),
345–350
Разработка технологии изготовления фотоприемников мощного лазерного излучения на длину волны 1.06 мкм
Физика и техника полупроводников
,
57
:7 (2023),
590–593
Замена туннельных переходов в InP на каналы проводимости с кристаллитами GaP
Письма в ЖТФ
,
47
:22 (2021),
52–54
Электрические контакты к структурам на основе InP с подконтактным слоем к
$p$
-InP, легированным Zn
Письма в ЖТФ
,
46
:23 (2020),
13–14
©
МИАН
, 2026