Маричев Артем Евгеньевич

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Исследование влияния формы маски на пространственное распределение скорости роста слоев GaAs, полученных методом МОС-гидридной селективной эпитаксии
   
   Физика и техника полупроводников, 59:8 (2025),  452–457
2. Оптическая диагностика гетероструктур на основе InGaAsP/InP(001)
   
   Письма в ЖТФ, 50:15 (2024),  47–50
3. Разработка технологии изготовления фотоприемников мощного лазерного излучения на длину волны 1.06 мкм
   
   Физика и техника полупроводников, 57:7 (2023),  590–593
4. Замена туннельных переходов в InP на каналы проводимости с кристаллитами GaP
   
   Письма в ЖТФ, 47:22 (2021),  52–54
5. Электрические контакты к структурам на основе InP с подконтактным слоем к $p$-InP, легированным Zn
   
   Письма в ЖТФ, 46:23 (2020),  13–14
6. Исследование влияния легирования на переходные слои анизотипных гетероструктур на основе GaInAsP и InP, полученных методом МОС-гидридной эпитаксии
   
   Письма в ЖТФ, 46:19 (2020),  22–24
7. Исследование однородности состава по толщине слоев GaInAsP, полученных на подложках InP методом газофазной эпитаксии
   
   Физика и техника полупроводников, 53:11 (2019),  1512–1518
8. Люминесцентные свойства выращенных на InP слоев GaInAsP с градиентом состава по толщине
   
   Письма в ЖТФ, 45:20 (2019),  22–25
9. Фотоэлектрические преобразователи лазерного излучения ($\lambda$ = 1064 нм) на основе GaInAsP/InP
   
   Физика и техника полупроводников, 52:13 (2018),  1641–1646
10. Изготовление и исследование коммутирующих $p$–$n$-переходов для каскадных фотопреобразователей
    
    Письма в ЖТФ, 44:24 (2018),  25–31
11. Исследование градиента состава слоев GaInAsP, полученных на InP методом газофазной эпитаксии
    
    Письма в ЖТФ, 44:24 (2018),  17–24
12. Релаксация напряжений в InGaAsP/InP-гетероструктурах для преобразователей лазерного излучения с длиной волны 1064 nm
    
    Письма в ЖТФ, 43:2 (2017),  3–9
13. Фотоэлектрические преобразователи концентрированного солнечного излучения на основе InGaAsP(1.0 эВ)/InP-гетероструктур
    
    Физика и техника полупроводников, 49:5 (2015),  715–718