Пащенко Александр Сергеевич

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Выращивание твердого раствора GaInAsSbBi на подложке GaSb(100), разориентированной на 6$^\circ$ к плоскости (111)A
   
   Физика твердого тела, 67:12 (2025),  2363–2366
2. Growth of nanotextured thin films of GaInAsP and GaInAsSbBi solid solutions on GaP substrates by pulsed laser deposition
   
   Наносистемы: физика, химия, математика, 14:5 (2023),  601–605
3. Дефекты в эпитаксиальных пленках GaInAsBi на подложках Si (001)
   
   Физика и техника полупроводников, 57:8 (2023),  652–657
4. Структурные свойства твердых растворов GaInAsSbBi, выращенных на подложках GaSb
   
   Письма в ЖТФ, 48:10 (2022),  24–27
5. Варизонные гетероструктуры Al$_{x}$In$_{y}$Ga$_{1-x-y}$P$_{z}$As$_{1-z}$/GaAs для фотоэлектрических преобразователей
   
   Письма в ЖТФ, 47:20 (2021),  27–30
6. Особенности фазовых переходов в висмутсодержащих упругонапряженных гетеросистемах AlGaInSbBi–InSb
   
   Физика твердого тела, 62:4 (2020),  523–528
7. Твердые растворы AlGaInSbAs, выращенные на подложках InAs методом зонной перекристаллизации градиентом температуры
   
   Физика и техника полупроводников, 54:7 (2020),  648–653
8. Изопериодические гетероструктуры Ga$_{x}$In$_{1-x}$Sb$_{y}$As$_{z}$P$_{1-y-z}$/InP для планарных $p$–$n$-фотодиодов
   
   Письма в ЖТФ, 46:19 (2020),  38–41
9. Применение полимерных пленок с наночастицами серебра для улучшения спектральных характеристик фотоэлектрических преобразователей
   
   Письма в ЖТФ, 46:2 (2020),  51–54
10. Влияние висмута на свойства упругонапряженных гетероструктур AlGaInAsP$\langle\mathrm{Bi}\rangle$/InP
    
    Физика и техника полупроводников, 53:8 (2019),  1110–1114
11. Изопараметрические гетероструктуры AlInGaAsP/InP и их свойства
    
    Физика и техника полупроводников, 53:7 (2019),  903–907
12. Ионно-лучевое осаждение тонких пленок AlN на Al$_{2}$O$_{3}$
    
    Письма в ЖТФ, 45:24 (2019),  21–24
13. Гетероструктуры Ga$_{x}$In$_{1-x}$As$_{y}$Bi$_{z}$Sb$_{1-y-z}$/InSb для фотоприемных устройств ($\lambda$ = 6–12 $\mu$m)
    
    Письма в ЖТФ, 45:16 (2019),  27–29
14. Каскадные солнечные элементы на основе наногетероструктур GaP/Si/Ge
    
    Письма в ЖТФ, 45:6 (2019),  7–9
15. Влияние висмута на структурное совершенство и люминесцентные свойства тонкопленочных упругонапряженных гетероструктур Al$_{x}$In$_{y}$Ga$_{1-x-y}$Bi$_{z}$Sb$_{1-z}$/GaSb
    
    Физика твердого тела, 60:7 (2018),  1277–1282
16. Влияние концентрации наночастиц серебра в функциональных покрытиях TiO$_{2}$–Ag на характеристики фотопреобразователей GaInP/GaAs/Ge
    
    Физика и техника полупроводников, 52:8 (2018),  860–864
17. Исследование структурных и люминесцентных свойств гетероструктур InAs/GaAs с легированными Bi потенциальными барьерами
    
    Физика и техника полупроводников, 52:6 (2018),  581–585
18. Наногетероструктуры AlInGaPAs/GaAs/Si для фотоэлектрических преобразователей, полученные методом импульсного лазерного напыления
    
    Письма в ЖТФ, 44:24 (2018),  75–80
19. Гетероструктуры AlInPSbAs/InAs для термофотоэлектрических преобразователей
    
    Письма в ЖТФ, 44:23 (2018),  3–8
20. Выращивание и свойства изопериодных твердых растворов GaInPSbAs на подложках арсенида индия
    
    Физика твердого тела, 58:9 (2016),  1695–1700
21. Особенности легирования сурьмой в процессе ионно-лучевой кристаллизации кремния
    
    Физика и техника полупроводников, 50:4 (2016),  553–556
22. Ионно-лучевая кристаллизация наноструктур InAs/GaAs(001)
    
    Письма в ЖТФ, 41:13 (2015),  102–110
23. Особенности формирования многослойных наноструктур Ge/Si при ионно-лучевой кристаллизации
    
    Письма в ЖТФ, 39:16 (2013),  30–37
24. Моделирование и исследование характеристик фотоэлектрических преобразователей на основе GaAs и GaSb
    
    ЖТФ, 81:9 (2011),  71–76