Редьков Алексей Викторович

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Влияние фазовых трансформаций на частоты молекулярных колебаний в пленках 2-метилбензимидазолперхлората С$_8$Н$_8$N$_2$–HClO$_4$
   
   Оптика и спектроскопия, 133:11 (2025),  1136–1140
2. Построение прогнозных моделей для роста тонких пленок SiC/Si с использованием методов машинного обучения
   
   Письма в ЖТФ, 51:22 (2025),  31–35
3. Влияние олова на свойства нитрида галлия, выращенного методом хлорид-гидридной газофазной эпитаксии
   
   Физика твердого тела, 66:8 (2024),  1338–1343
4. Влияние кинетики атомных ступеней на рост многокомпонентных кристаллов в условиях повышенных пересыщений
   
   Письма в ЖТФ, 49:13 (2023),  35–38
5. Рост пленок SiC, AlN и GaN на кремниевых изделиях произвольной геометрии для микроэлектромеханических применений
   
   Письма в ЖТФ, 49:11 (2023),  3–6
6. Особенности зарождения и роста нитевидных нанокристаллов InGaN на подложках SiC/Si методом хлорид-гидридной эпитаксии
   
   Письма в ЖТФ, 48:4 (2022),  24–28
7. Механические свойства композитного покрытия SiC на графите, полученного методом замещения атомов
   
   Письма в ЖТФ, 47:20 (2021),  7–10
8. Рост объемных эпитаксиальных пленок AlN полуполярной ориентации на подложках Si (001) и гибридных подложках SiC/Si (001)
   
   Письма в ЖТФ, 46:11 (2020),  22–25
9. Рост ограненных пор в кристалле по механизму Бартона–Кабреры–Франка
   
   Физика твердого тела, 61:12 (2019),  2385–2389
10. Эволюция ансамбля микропор в структуре SiC/Si в процессе роста методом замещения атомов
    
    Физика твердого тела, 61:3 (2019),  433–440
11. Рост полупроводниковых III–V гетероструктур на подложках SiC/Si
    
    Письма в ЖТФ, 45:14 (2019),  24–27
12. Новая тригональная (ромбоэдрическая) фаза SiC: ab initio расчеты, симметрийный анализ и рамановские спектры
    
    Физика твердого тела, 60:10 (2018),  2022–2027
13. Отделение эпитаксиальных гетероструктур III–N/SiC от подложки Si и их перенос на подложки других типов
    
    Физика и техника полупроводников, 51:3 (2017),  414–420
14. Моделирование процесса индентирования наномасштабных пленок на подложках методом молекулярной динамики
    
    Письма в ЖТФ, 42:12 (2016),  64–72
15. Устойчивость поверхности упругонапряженной многокомпонентной пленки в системе с химическими реакциями
    
    Физика твердого тела, 57:12 (2015),  2451–2457
16. Эффект воздействия $n$- и $p$-типа проводимости подложки Si(100) с буферным слоем SiC на механизм роста и структуру эпитаксиальных слоев полуполярных AlN и GaN
    
    Физика твердого тела, 57:10 (2015),  1916–1921
17. Формирование серебряных фрактальных структур в ионообменных стеклах при полинге
    
    ЖТФ, 85:2 (2015),  112–117
18. Критерий морфологической устойчивости сферического фронта кристаллизации в многокомпонентной системе с химическими реакциями
    
    Физика твердого тела, 56:12 (2014),  2440–2445
19. Формирование композитных материалов на основе стекол, содержащих восстановитель
    
    Физика твердого тела, 54:9 (2012),  1758–1763