|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru
-
Высокотемпературная диффузия марганца в кремний КДБ-3: формирование фаз Mn$_5$Si$_3$ и B$_6$Si, морфология и электрофизические свойства
Физика и техника полупроводников, 59:10 (2025), 601–607
-
Особенности электрофизических параметров кремния, легированного последовательно примесными атомами фосфора и бора
Физика и техника полупроводников, 56:6 (2022), 528–532
-
Использование эффекта отрицательного магнитосопротивления в кремнии для создания многофункциональных датчиков
Письма в ЖТФ, 47:19 (2021), 7–11
-
Кремний с магнитными нанокластерами атомов марганца – новый класс фотомагнитных материалов
ЖТФ, 89:3 (2019), 421–425
-
Управление магнитными свойствами кремния с нанокластерами атомов марганца
ЖТФ, 84:10 (2014), 139–141
-
Особенности магнетосопротивления в перекомпенсированном кремнии, легированном марганцем
Физика и техника полупроводников, 48:8 (2014), 1014–1016
-
Отрицательное магнитосопротивление в кремнии с комплексами атомов марганца [Mn]$_4$
Физика и техника полупроводников, 44:9 (2010), 1181–1184
-
Влияние электрического поля, освещенности и температуры на отрицательное магнетосопротивление кремния, легированного по методу “низкотемпературной диффузии”
Письма в ЖТФ, 36:16 (2010), 11–18
© , 2026