Публикации в базе данных Math-Net.Ru
-
Использование эффекта отрицательного магнитосопротивления в кремнии для создания многофункциональных датчиков
Письма в ЖТФ, 47:19 (2021), 7–11
-
Кремний с магнитными нанокластерами атомов марганца – новый класс фотомагнитных материалов
ЖТФ, 89:3 (2019), 421–425
-
Аномально большое время жизни дырок в кремнии c нанокластерами атомов марганца
Физика и техника полупроводников, 49:10 (2015), 1376–1378
-
Управление магнитными свойствами кремния с нанокластерами атомов марганца
ЖТФ, 84:10 (2014), 139–141
-
Особенности магнетосопротивления в перекомпенсированном кремнии, легированном марганцем
Физика и техника полупроводников, 48:8 (2014), 1014–1016
-
Влияние электрического поля, освещенности и температуры на отрицательное магнетосопротивление кремния, легированного по методу “низкотемпературной диффузии”
Письма в ЖТФ, 36:16 (2010), 11–18
© , 2026