Минтаиров Михаил Александрович

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Влияние параметров $p$–$n$-переходов на оптимизацию конструкции контактов в фотоэлектрических преобразователях лазерного излучения
   
   Письма в ЖТФ, 52:4 (2026),  8–11
2. Влияние температуры точки росы на тепловые ощущения в русской бане
   
   Междунар. науч.-исслед. журн., 2025, № 7(157),  1–9
3. Фотоэлектрический преобразователь лазерного излучения $\lambda$ = 1064 нм на основе GaInAsP/InP
   
   Физика и техника полупроводников, 59:8 (2025),  447–451
4. Метаморфные InGaAs/GaAs-гетероструктуры для радиационно стойких фотопреобразователей лазерного излучения
   
   Физика и техника полупроводников, 59:5 (2025),  291–293
5. Влияние резистивных параметров фотоэлектрических преобразователей на карты электролюминесценции и вольт-амперные характеристики
   
   Физика и техника полупроводников, 59:5 (2025),  281–285
6. Определение дисбаланса фотогенерированных токов в многопереходных фотопреобразователях лазерного излучения
   
   Физика и техника полупроводников, 59:4 (2025),  219–222
7. Определение тока насыщения электролюминесценции светодиодов с набором квантовых ям
   
   Оптика и спектроскопия, 132:12 (2024),  1214–1218
8. Трехпараметрическая трубковая модель растекания тока в солнечных элементах
   
   Физика и техника полупроводников, 58:10 (2024),  573–576
9. Токовый инвариант как метод поиска оптимальной ширины запрещенной зоны субэлементов многопереходных солнечных элементов
   
   Письма в ЖТФ, 50:5 (2024),  32–34
10. Влияние температуры на ток через различные рекомбинационные каналы в GaAs-солнечных элементах с GaInAs-квантовыми точками
    
    Физика и техника полупроводников, 57:8 (2023),  700–705
11. Влияние дисбаланса фотогенерированных токов на вольт-амперные характеристики многопереходных солнечных элементов
    
    Письма в ЖТФ, 49:23 (2023),  38–41
12. Высокоэффективные GaInP/GaAs-фотопреобразователи лазерной линии 600 nm
    
    Письма в ЖТФ, 49:6 (2023),  32–34
13. Фотопреобразователь лазерного излучения на основе GaInP с КПД 46.7% на длине волны 600 nm
    
    Письма в ЖТФ, 48:5 (2022),  24–26
14. Исследование фотоэлектрических характеристик GaAs-фотопреобразователей при различном расположении массива квантовых точек InGaAs в $i$-области
    
    Письма в ЖТФ, 47:21 (2021),  28–31
15. Увеличение эффективности трехпереходных солнечных элементов за счет метаморфного InGaAs-субэлемента
    
    Письма в ЖТФ, 47:18 (2021),  51–54
16. Влияние числа рядов GaInAs-квантовых объектов на ток насыщения GaAs-фотопреобразователей
    
    Письма в ЖТФ, 46:12 (2020),  30–33
17. Определение по спектру фототока ширины запрещенной зоны Ga$_{1-x}$In$_{x}$As $p$–$n$-переходов на метаморфном буфере
    
    Письма в ЖТФ, 46:7 (2020),  29–31
18. Противодействующий фотовольтаический эффект в верхней межгенераторной части трехпереходных GaInP/GaAs/Ge солнечных элементов
    
    Физика и техника полупроводников, 53:11 (2019),  1568–1572
19. Аномалии в фотовольтаических характеристиках многопереходных солнечных элементов при сверхвысоких концентрациях солнечного излучения
    
    Письма в ЖТФ, 45:21 (2019),  37–39
20. Рекомбинация в GaAs $p$-$i$-$n$-структурах с InGaAs квантово-размерными объектами: моделирование и закономерности
    
    Физика и техника полупроводников, 52:10 (2018),  1126–1130
21. Растекание тока в солнечных элементах: двухпараметрическая трубковая модель
    
    Физика и техника полупроводников, 50:7 (2016),  987–992
22. Оценка потенциальной эффективности многопереходного солнечного элемента при предельном балансе фотогенерированных токов
    
    Физика и техника полупроводников, 49:5 (2015),  682–687
23. Разностный способ получения темновой вольт-амперной характеристики и ее виды для остаточной (негенерирующей) части многопереходного солнечного элемента
    
    Физика и техника полупроводников, 48:5 (2014),  671–676
24. Фотоэлектрическое определение последовательного сопротивления многопереходных солнечных элементов
    
    Физика и техника полупроводников, 46:8 (2012),  1074–1081