Мальцев Петр Павлович

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Исследование потерь пропускания в поликристаллическом CVD-алмазе в миллиметровом диапазоне длин волн методом свободного пространства
   
   Письма в ЖТФ, 47:18 (2021),  43–46
2. Фотолюминесцентные исследования легированных кремнием эпитаксиальных пленок GaAs, выращенных на подложках GaAs с ориентациями (100) и (111)А при пониженных температурах
   
   Физика и техника полупроводников, 52:3 (2018),  395–401
3. Электрические и тепловые свойства фотопроводящих антенн на основе In$_{x}$Ga$_{1-x}$As ($x>$ 0.3) с метаморфным буферным слоем для генерации терагерцового излучения
   
   Физика и техника полупроводников, 51:9 (2017),  1267–1272
4. Электронные свойства приповерхностных квантовых ям InGaAs/InAlAs с инвертированным легированием на подложках InP
   
   Физика и техника полупроводников, 51:6 (2017),  792–797
5. Энергетический спектр и тепловые свойства терагерцового квантово-каскадного лазера на основе резонансно-фононного дизайна
   
   Физика и техника полупроводников, 51:4 (2017),  540–546
6. Генерация терагерцового излучения при облучении фемтосекундными лазерными импульсами In$_{0.38}$Ga$_{0.62}$As, выращенного на подложке GaAs с метаморфным буферным слоем
   
   Физика и техника полупроводников, 51:4 (2017),  535–539
7. Генерация и детектирование терагерцевого излучения в низкотемпературных эпитаксиальных пленках GaAs на подложках GaAs с ориентациями (100) и (111)A
   
   Физика и техника полупроводников, 51:4 (2017),  529–534
8. Генерация терагерцевого излучения в низкотемпературных эпитаксиальных пленках InGaAs на подложках InP с ориентациями (100) и (411) A
   
   Физика и техника полупроводников, 51:3 (2017),  322–330
9. Исследование процессов изготовления HEMT AlGaN/AlN/GaN c пассивацией Si$_{3}$N$_{4}$ in situ
   
   Физика и техника полупроводников, 50:10 (2016),  1434–1438
10. Изготовление терагерцового квантово-каскадного лазера с двойным металлическим волноводом на основе многослойных гетероструктур GaAs/AlGaAs
    
    Физика и техника полупроводников, 50:10 (2016),  1395–1400
11. Лазерное моделирование переходных радиационных эффектов в гетероструктурных элементах на полупроводниковых соединениях А$^{\mathrm{III}}$В$^{\mathrm{V}}$
    
    Физика и техника полупроводников, 50:2 (2016),  223–228
12. Структурные и фотолюминесцентные свойства низкотемпературного GaAs, выращенного на подложках GaAs (100) и GaAs (111)A
    
    Физика и техника полупроводников, 50:2 (2016),  195–203
13. Электронный транспорт и оптические свойства структур с нанонитями из атомов олова на вицинальных подложках GaAs
    
    Физика и техника полупроводников, 50:2 (2016),  185–190
14. Фотолюминесценция гетероструктур с квантовой ямой In$_x$Ga$_{1-x}$As с высоким содержанием индия при разной мощности возбуждения
    
    Физика и техника полупроводников, 49:9 (2015),  1254–1257
15. Фотолюминесцентные свойства модулированно-легированных структур In$_x$Al$_{1-x}$As/In$_y$Ga$_{1-y}$As/In$_x$Al$_{1-x}$As с напряженными нановставками InAs и GaAs в квантовой яме
    
    Физика и техника полупроводников, 49:9 (2015),  1243–1253
16. Влияние конструкции буфера и ориентации подложки на подвижности электронов в метаморфных структурах In$_{0.70}$Al$_{0.30}$As/In$_{0.76}$Ga$_{0.24}$As/In$_{0.70}$Al$_{0.30}$As на подложках GaAs
    
    Физика и техника полупроводников, 49:7 (2015),  942–950
17. Исследование оптических свойств GaAs, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии при низких температурах роста, с $\delta$-легированными слоями Si
    
    Физика и техника полупроводников, 49:7 (2015),  932–935
18. Особенности фотолюминесценции HEMT-наногетероструктур с составной квантовой ямой InAlAs/InGaAs/InAs/InGaAs/InAlAs
    
    Физика и техника полупроводников, 49:2 (2015),  241–248
19. Экспериментальное определение эффективных масс и подвижностей электронов в каждой из подзон размерного квантования в квантовой яме In$_x$Ga$_{1-x}$As со вставками InAs
    
    Физика и техника полупроводников, 49:2 (2015),  204–213
20. Применение спектроскопии фотолюминесценции для исследования метаморфных наногетероструктур In$_{0.38}$Al$_{0.62}$As/In$_{0.38}$Ga$_{0.62}$As/In$_{0.38}$Al$_{0.62}$As
    
    Физика и техника полупроводников, 48:7 (2014),  909–916
21. Фотолюминесцентные исследования метаморфных наногетероструктур In$_{0.7}$Al$_{0.3}$As/In$_{0.75}$Ga$_{0.25}$As/In$_{0.7}$Al$_{0.3}$As на подложках GaAs
    
    Физика и техника полупроводников, 48:5 (2014),  658–666
22. MHEMT с предельной частотой усиления по мощности $f_{\mathrm{max}}$ = 0.63 ТГц на основе наногетероструктуры In$_{0.42}$Al$_{0.58}$As/In$_{0.42}$Ga$_{0.58}$As/In$_{0.42}$Al$_{0.58}$As/GaAs
    
    Физика и техника полупроводников, 48:1 (2014),  73–76
23. Влияние разориентации подложки (100) GaAs на электрофизические параметры и морфологию поверхности метаморфных НЕМТ наногетероструктур In$_{0.7}$Al$_{0.3}$As/In$_{0.75}$Ga$_{0.25}$As/In$_{0.7}$Al$_{0.3}$As
    
    Физика и техника полупроводников, 48:1 (2014),  67–72
24. Электрофизические и оптические свойства приповерхностных квантовых ям AlGaAs/InGaAs/AlGaAs c различной глубиной залегания
    
    Физика и техника полупроводников, 47:9 (2013),  1215–1220