|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru
-
Ретрансляция возбуждения люминесценции при каскадных переходах в гибридных наноструктурах на основе ННК InP/InAsP/InP И КТ CdSe/ZnS-TOPO
Оптика и спектроскопия, 131:10 (2023), 1403–1411
-
Водорастворимые КТ InP/ZnS как маркеры дибутилфталата. Влияние спирта на растворимость фталатов
Оптика и спектроскопия, 129:6 (2021), 792–796
-
Исследование спектров комплексного показателя преломления пленок мононуклеотидов на кремнии в терагерцевом диапазоне
Письма в ЖТФ, 47:17 (2021), 29–31
-
Нелинейное просветление InAs нитевидных нанокристаллов в видимом диапазоне
Оптика и спектроскопия, 128:1 (2020), 128–133
-
Роль модельных представлений в описании кинетики люминесценции гибридных нитевидных нанокристаллов
Оптика и спектроскопия, 128:1 (2020), 122–127
-
Фотодинамика люминесценции гибридных наноструктур InP/InAsP/InP ННК, пассивированных слоем ТОРО-CdSe/ZnS КТ
Физика и техника полупроводников, 54:9 (2020), 952–957
-
Безызлучательный перенос энергии в гибридных наноструктурах с различной размерностью
Физика и техника полупроводников, 53:9 (2019), 1289–1292
-
Фотодинамика нелинейных эффектов при воздействии пикосекундного лазерного излучения на коллоидные растворы квантовых точек CdSe/ZnS
Оптика и спектроскопия, 125:5 (2018), 658–663
-
Влияние молекулярного веса поливинилпирролидона на структуру, спектральные и нелинейно-оптические свойства композиционных материалов, содержащих наночастицы CdS/ZnS
Оптика и спектроскопия, 125:5 (2018), 608–614
-
Нелинейно-оптические свойства квантовых точек CdS/ZnS в матрице из высокомолекулярного поливинилпирролидона
Физика и техника полупроводников, 52:8 (2018), 865–872
-
Оптическое ограничение в растворах нитевидных нанокристаллов InP и GaAs и гибридных систем на их основе
Письма в ЖТФ, 41:3 (2015), 33–41
-
Фотоиндуцированное изменение люминесцентных свойств суспензий наночастиц PbS, стабилизированных поливинилпирролидоном
Письма в ЖТФ, 41:2 (2015), 25–33
-
Композитная система на основе квантовых точек CdSe/ZnS и нитевидных нанокристаллов GaAs
Физика и техника полупроводников, 47:10 (2013), 1356–1360
© , 2026