Черняков Антон Евгеньевич

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Исследование предельных энергетических возможностей мощных ультрафиолетовых (370 nm) матричных излучателей: токовый и температурный факторы
   
   Оптика и спектроскопия, 133:11 (2025),  1172–1175
2. Фотолюминесценция квантовых точек PbS в матрице неорганического стекла при возбуждении светодиодами: спектры и квантовый выход
   
   Оптика и спектроскопия, 133:10 (2025),  1068–1070
3. Снижение внешней квантовой эффективности ультрафиолетовых светодиодов, вызванное перелегированием барьеров кремнием
   
   Физика и техника полупроводников, 59:7 (2025),  397–401
4. Оценка изменения функционального состояния человека с помощью методики критической частоты слияния мельканий: особенности светового воздействия и видов нагрузки
   
   Письма в ЖТФ, 51:18 (2025),  13–15
5. Ближнее поле излучения и эффект неоднородности распределения плотности тока в AlInGaN микросветодиодах
   
   Оптика и спектроскопия, 132:12 (2024),  1236–1239
6. Исследование влияния тестовых и игровых интеллектуальных нагрузок на функциональное состояние человека
   
   Письма в ЖТФ, 50:23 (2024),  62–64
7. Тепловое сопротивление светодиодов на основе узкозонного твердого раствора InAsSb
   
   Оптика и спектроскопия, 131:11 (2023),  1502–1504
8. К вопросу о механизмах разогрева светодиодов на основе $p$-InAsSbP/$n$-InAs(Sb)
   
   Физика и техника полупроводников, 57:1 (2023),  42–52
9. Теплопроводность гибридных подложек SiC/Si для роста светодиодных гетероструктур
   
   Письма в ЖТФ, 49:14 (2023),  19–21
10. Электротермооптические характеристики и предельные энергетические возможности мощных AlGaN-светодиодов глубокого ультрафиолетового диапазона ($\lambda\approx$ 270 nm)
    
    Письма в ЖТФ, 49:9 (2023),  17–20
11. Предельные энергетические возможности мощных AlInGaN-светодиодов
    
    Письма в ЖТФ, 48:13 (2022),  33–36
12. Особенности работы мощных AlInGaN-светодиодов при больших импульсных токах
    
    Письма в ЖТФ, 47:16 (2021),  32–35
13. Температурное падение эффективности мощных синих InGaN/GaN-светодиодов
    
    Письма в ЖТФ, 46:24 (2020),  45–48
14. Многообразие свойств приборных структур на основе нитридов элементов III группы, связанное с модификацией фрактально-перколяционной системы
    
    Физика и техника полупроводников, 52:7 (2018),  804–811
15. Пространственное перераспределение излучения во флип-чип фотодиодах на основе двойных гетероструктур InAsSbP/InAs
    
    Физика и техника полупроводников, 51:2 (2017),  269–275
16. Фрактальная природа светоизлучающих структур на основе III–N наноматериалов и связанные с ней явления
    
    Физика и техника полупроводников, 50:9 (2016),  1195–1201
17. Особенности взаимодействия протонов с транзисторными структурами с двумерным AlGaN/GaN-каналом
    
    Письма в ЖТФ, 42:21 (2016),  39–46
18. Взаимосвязь надежности AlGaN/GaN транзисторов с характером организации наноматериала
    
    Письма в ЖТФ, 42:13 (2016),  80–86
19. Мощные светодиодные кристаллы AlGaInN с двухуровневой металлизацией
    
    Физика и техника полупроводников, 48:9 (2014),  1287–1293
20. Исследование деградации внешней квантовой эффективности ультрафиолетовых светодиодов на основе гетероструктур AlGaN/GaN, выращенных методом хлоридно-гидридной эпитаксии
    
    Письма в ЖТФ, 40:13 (2014),  73–80
21. Сравнение свойств светодиодных кристаллов AlGaInN вертикальной и флип-чип конструкции с использованием кремния в качестве платы-носителя
    
    Физика и техника полупроводников, 47:3 (2013),  386–391
22. Поверхностно облучаемые фотодиоды на основе InAsSb (длинноволновая граница $\lambda_{0.1}$ = 4.5 мкм), работающие при температурах 25–80$^\circ$C
    
    Физика и техника полупроводников, 46:5 (2012),  708–713
23. Низкочастотный шум в исходных и деградировавших синих InGaAs/GaN-светодиодах
    
    Физика и техника полупроводников, 46:2 (2012),  219–223
24. Влияние уровня легирования кремнием и характера наноструктурной организации на падение с током внешней квантовой эффективности InGaN/GaN-светодиодов
    
    Физика и техника полупроводников, 45:3 (2011),  425–431
25. Исследование тепловых процессов в мощных InGaN/GaN флип-чип светодиодах с использованием инфракрасной тепловизионной микроскопии
    
    Физика и техника полупроводников, 44:3 (2010),  390–396
26. Высокоэффективные InGaN/GaN/AlGaN светодиоды с короткопериодной InGaN/GaN сверхрешеткой для диапазона 530–560 nm
    
    Письма в ЖТФ, 36:22 (2010),  89–95