Усов Сергей Олегович

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Дифференциальная туннельная проводимость в лентах $n$-Bi$_2$Te$_{3-y}$Se$_y$, полученных спиннингованием расплава
   
   Физика твердого тела, 67:12 (2025),  2257–2263
2. Особенности эпитаксиального роста III – N светодиодных гетероструктур на подложках SiC/Si
   
   Письма в ЖТФ, 47:15 (2021),  15–18
3. Влияние давления при эпитаксии на свойства слоев GaN
   
   Письма в ЖТФ, 46:24 (2020),  3–6
4. GaN selective epitaxy in sub-micron windows with different depths formed by ion beam nanolithography
   
   Физика твердого тела, 61:12 (2019),  2333
5. Селективный эпитаксиальный рост III–N-структур с использованием ионной нанолитографии
   
   Физика и техника полупроводников, 52:10 (2018),  1237–1243
6. Нитевидные светодиодные микрокристаллы InGaN/GaN субмиллиметровой длины
   
   Физика и техника полупроводников, 51:1 (2017),  101–104
7. Влияние параметров гетероструктур AlN/GaN/AlGaN и AlN/GaN/InAlN с двумерным электронным газом на их электрофизические свойства и характеристики транзисторов на их основе
   
   Физика и техника полупроводников, 50:10 (2016),  1401–1407
8. Эпитаксиальный рост гетероструктур GaN/AlN/InAlN для HEMT в горизонтальных МОС-гидридных реакторах различных конструкций
   
   Физика и техника полупроводников, 50:9 (2016),  1263–1269
9. Исследование влияния дизайна активной области монолитных многоцветных светодиодных гетероструктур на спектры и эффективность их излучения
   
   Физика и техника полупроводников, 49:11 (2015),  1563–1568
10. О зависимости эффективности A$^{\mathrm{III}}$N светодиодов синего диапазона от структурного совершенства буферных эпитаксиальных слоев GaN
    
    Физика и техника полупроводников, 48:1 (2014),  55–60
11. Гетероструктуры InGaN/GaN, выращенные методом субмонослойного осаждения
    
    Физика и техника полупроводников, 46:10 (2012),  1357–1362
12. Композитные InGaN/GaN/InAlN-гетероструктуры, излучающие в желто-красной области спектра
    
    Физика и техника полупроводников, 46:10 (2012),  1304–1308
13. Влияние водорода на локальную фазовую сепарацию в тонких слоях InGaN и свойства светодиодных структур на их основе
    
    Физика и техника полупроводников, 45:2 (2011),  274–279
14. Формирование композитных квантовых точек InGaN/ GaN/InAlN
    
    Физика и техника полупроводников, 44:10 (2010),  1382–1386
15. Структурные и оптические свойства InAlN/GaN распределенных брегговских отражателей
    
    Физика и техника полупроводников, 44:7 (2010),  981–985
16. Исследования оптических и структурных свойств короткопериодных сверхрешеток InGaN/GaN для активной области светоизлучающих диодов
    
    Физика и техника полупроводников, 44:6 (2010),  857–863
17. Монолитный белый светодиод с активной областью на основе квантовых ям InGaN, разделенных короткопериодными InGaN/GaN-сверхрешетками
    
    Физика и техника полупроводников, 44:6 (2010),  837–840
18. Влияние давления в реакторе на свойства активной области InGaN/GaN светодиодов
    
    Физика и техника полупроводников, 44:1 (2010),  126–129
19. Варизонная активная область на основе короткопериодных InGaN/GaN-сверхрешеток для мощных светоизлучающих диодов диапазона 440–470 нм
    
    Физика и техника полупроводников, 44:1 (2010),  96–100
20. Высокоэффективные InGaN/GaN/AlGaN светодиоды с короткопериодной InGaN/GaN сверхрешеткой для диапазона 530–560 nm
    
    Письма в ЖТФ, 36:22 (2010),  89–95