Николаев Андрей Евгеньевич

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Управление упругими напряжениями при росте гетероструктур (Al)GaN/SiC
   
   Физика и техника полупроводников, 59:6 (2025),  315–318
2. Влияние температуры облучения на скорость удаления носителей в GaN
   
   Физика и техника полупроводников, 59:4 (2025),  227–229
3. Лазерная генерация в дисковых микроструктурах InGaN/GaN/AlGaN на кремнии
   
   Письма в ЖТФ, 51:11 (2025),  41–45
4. Гетероструктуры с двумерным электронным газом на основе GaN с InAlN/AlGaN-барьером
   
   Физика и техника полупроводников, 58:10 (2024),  582–585
5. Влияние протонного и электронного облучения на параметры нитрид-галлиевых диодов Шоттки
   
   Физика и техника полупроводников, 58:1 (2024),  49–52
6. Анализ механических напряжений в гетероструктурах на основе GaN на кремниевых подложках
   
   Физика и техника полупроводников, 57:7 (2023),  546–550
7. Тонкопленочный светодиод на основе слоев AlInGaN, выращенных на гибридных подложках SiC/Si
   
   Письма в ЖТФ, 49:15 (2023),  3–6
8. Светодиод на основе AlInGaN-гетероструктур, выращенных на подложках SiC/Si и технология его изготовления
   
   Письма в ЖТФ, 47:18 (2021),  3–6
9. Особенности эпитаксиального роста III – N светодиодных гетероструктур на подложках SiC/Si
   
   Письма в ЖТФ, 47:15 (2021),  15–18
10. ПЭМ-исследование многослойных буферных структур AlN–AlGaN–GaN на кремниевых подложках
    
    Письма в ЖТФ, 46:19 (2020),  50–54
11. Особенности МПЭ ПА синтеза слоев $n^{+}$-GaN на виртуальных подложках GaN/$c$-Al$_{2}$O$_{3}$
    
    Физика и техника полупроводников, 53:9 (2019),  1212–1217
12. Влияние метода формирования высокоомного буферного слоя GaN на свойства гетероструктур InAlN/GaN и AlGaN/GaN с двумерным электронным газом
    
    Письма в ЖТФ, 44:13 (2018),  51–58
13. Эпитаксиальный рост гетероструктур GaN/AlN/InAlN для HEMT в горизонтальных МОС-гидридных реакторах различных конструкций
    
    Физика и техника полупроводников, 50:9 (2016),  1263–1269
14. Влияние условий выращивания на морфологию поверхности и развитие механических напряжений в слоях Al(Ga)N в процессе газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений
    
    Письма в ЖТФ, 42:8 (2016),  86–93
15. Исследование влияния дизайна активной области монолитных многоцветных светодиодных гетероструктур на спектры и эффективность их излучения
    
    Физика и техника полупроводников, 49:11 (2015),  1563–1568
16. Вольт-фарадные характеристики МДП структур (Al/Ti)/Al$_2$O$_3$/$n$-GaN
    
    Физика и техника полупроводников, 49:8 (2015),  1061–1064
17. О зависимости эффективности A$^{\mathrm{III}}$N светодиодов синего диапазона от структурного совершенства буферных эпитаксиальных слоев GaN
    
    Физика и техника полупроводников, 48:1 (2014),  55–60
18. Свойства гетероструктур InGaN/GaN, сформированных с помощью прерываний роста в различных условиях
    
    Письма в ЖТФ, 40:9 (2014),  1–8
19. Композитные InGaN/GaN/InAlN-гетероструктуры, излучающие в желто-красной области спектра
    
    Физика и техника полупроводников, 46:10 (2012),  1304–1308
20. Коллективные эффекты в системе структурных дефектов нитрида галлия в условиях гомоэпитаксии на пористой подложке
    
    Письма в ЖТФ, 38:9 (2012),  31–36
21. Двойное перекрестное эпитаксиальное разращивание неполярных эпитаксиальных слоев нитрида галлия
    
    Письма в ЖТФ, 38:6 (2012),  22–28
22. Влияние водорода на локальную фазовую сепарацию в тонких слоях InGaN и свойства светодиодных структур на их основе
    
    Физика и техника полупроводников, 45:2 (2011),  274–279
23. Исследование туннельного транспорта носителей в структурах с активной областью InGaN/GaN
    
    Физика и техника полупроводников, 44:12 (2010),  1615–1623
24. Структурные и оптические свойства InAlN/GaN распределенных брегговских отражателей
    
    Физика и техника полупроводников, 44:7 (2010),  981–985
25. Использование короткопериодных сверхрешеток InGaN/GaN в светодиодах синего диапазона
    
    Физика и техника полупроводников, 44:7 (2010),  955–961
26. Исследования оптических и структурных свойств короткопериодных сверхрешеток InGaN/GaN для активной области светоизлучающих диодов
    
    Физика и техника полупроводников, 44:6 (2010),  857–863
27. Монолитный белый светодиод с активной областью на основе квантовых ям InGaN, разделенных короткопериодными InGaN/GaN-сверхрешетками
    
    Физика и техника полупроводников, 44:6 (2010),  837–840
28. Влияние давления в реакторе на свойства активной области InGaN/GaN светодиодов
    
    Физика и техника полупроводников, 44:1 (2010),  126–129
29. Варизонная активная область на основе короткопериодных InGaN/GaN-сверхрешеток для мощных светоизлучающих диодов диапазона 440–470 нм
    
    Физика и техника полупроводников, 44:1 (2010),  96–100
30. Эпитаксия слоев AlN с высокой скоростью роста в планетарном МОС-гидридном реакторе
    
    Письма в ЖТФ, 36:24 (2010),  33–39
31. Высокоэффективные InGaN/GaN/AlGaN светодиоды с короткопериодной InGaN/GaN сверхрешеткой для диапазона 530–560 nm
    
    Письма в ЖТФ, 36:22 (2010),  89–95