Публикации в базе данных Math-Net.Ru
-
Высокоточная характеризация сверхмногопериодных AlGaAs/GaAs-сверхрешеток с помощью рентгеновской рефлектометрии на синхротронном источнике
Письма в ЖТФ, 47:15 (2021), 7–10
-
Глубокая рентгеновская рефлектометрия сверхмногопериодных A3B5-структур с квантовыми ямами, выращиваемых методом молекулярно-пучковой эпитаксии
ЖТФ, 90:11 (2020), 1906–1912
-
Исследование процессов самокаталитического роста GaAs нитевидных кристаллов на модифицированных поверхностях Si(111), полученных методом молекулярно-пучковой эпитаксии
Физика и техника полупроводников, 45:4 (2011), 441–445
-
Двухканальные псевдоморфные HEMT-гетероструктуры InGaAs/AlGaAs/GaAs с импульсным легированием
Физика и техника полупроводников, 44:7 (2010), 950–954
© , 2026