Калмыков Александр Евгеньевич

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Структурное состояние InSb в композитном материале InSb/опал по данным просвечивающей электронной микроскопии
   
   Физика и техника полупроводников, 58:2 (2024),  93–95
2. Дислокационная структура темплейтов AlN/SiC, выращенных методом сублимации
   
   Физика и техника полупроводников, 57:8 (2023),  648–651
3. Влияние морфологии буферного слоя AlN на структурное качество полуполярного слоя GaN, выращенного на подложке Si(001), по данным просвечивающей электронной микроскопии
   
   Письма в ЖТФ, 48:5 (2022),  51–54
4. Структурная характеризация короткопериодной сверхрешетки на основе гетероструктуры CdF$_{2}$/CaF$_{2}$/Si(111) методами просвечивающей электронной микроскопии и рентгеновской дифрактометрии
   
   Письма в ЖТФ, 47:15 (2021),  3–6
5. Исследование структурных особенностей дентина методами микротомографии и просвечивающей электронной микроскопии
   
   ЖТФ, 90:9 (2020),  1449–1461
6. ПЭМ-исследование многослойных буферных структур AlN–AlGaN–GaN на кремниевых подложках
   
   Письма в ЖТФ, 46:19 (2020),  50–54
7. Повышение эффективности фильтрации прорастающих дислокаций в темплейтах AlN/$c$-Al$_{2}$O$_{3}$ с фасетированной морфологией поверхности во время их роста методом молекулярно-пучковой эпитаксии
   
   Письма в ЖТФ, 46:11 (2020),  26–30
8. Дислокационные реакции в полуполярном слое GaN, выращенном на вицинальной подложке Si(001) с использованием буферных слоев AlN и 3$C$-SiC
   
   Физика твердого тела, 61:12 (2019),  2317–2321
9. Электрические и магнитные свойства нанонитей Pb и In в асбесте в области сверхпроводящего перехода
   
   Физика твердого тела, 60:10 (2018),  1893–1899
10. Асимметрия дефектной структуры полуполярного GaN, выращенного на Si(001)
    
    Письма в ЖТФ, 44:20 (2018),  53–61
11. О магнетизме кластеров никеля в нанопористом углероде
    
    Физика твердого тела, 59:10 (2017),  2056–2062
12. Проявление размерных эффектов в электрических и магнитных свойствах квазиодномерных нитей олова в асбесте
    
    Физика твердого тела, 58:3 (2016),  443–450
13. Оптические свойства наночастиц металлов в каналах хризотила
    
    Письма в ЖТФ, 42:12 (2016),  96–102
14. Электронно-микроскопическое исследование нанокомпозита Sn–хризотиловый асбест
    
    Письма в ЖТФ, 40:7 (2014),  42–48
15. Последовательная структурная характеризация слоев в системе GaN/AlN/SiC/Si(111) методом рентгеновской дифрактометрии после каждой стадии их образования
    
    Письма в ЖТФ, 39:22 (2013),  25–32
16. Низкотемпературные свойства нанокомпозита пористый кремний–индий
    
    Письма в ЖТФ, 38:17 (2012),  24–30
17. Структурная характеризация эпитаксиальных слоев GaN на кремнии: влияние буферных слоев
    
    Письма в ЖТФ, 37:7 (2011),  72–79
18. Особенности вольт-амперных характеристик и температурные зависимости электропроводности слоев пористого кремния
    
    Письма в ЖТФ, 36:24 (2010),  61–68