Родин Павел Борисович

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Прямая токовая модуляция мощных полупроводниковых лазеров с помощью высокочастотных автоколебаний в арсенид-галлиевых лавинных диодах
   
   Письма в ЖТФ, 52:1 (2026),  36–40
2. Самовозбуждение высокочастотных автоколебаний в лавинных арсенид-галлиевых диодах
   
   Письма в ЖТФ, 50:20 (2024),  44–47
3. Субнаносекундная кинетика рекомбинационного излучения высоковольтного арсенид-галлиевого диода при ударно-ионизационном переключении
   
   Письма в ЖТФ, 50:6 (2024),  11–14
4. Коллапсирующие домены Ганна как механизм самоподдержания проводящего состояния в обратносмещенных высоковольтных GaAs-диодах
   
   Письма в ЖТФ, 48:20 (2022),  31–34
5. Эффект самоподдержания проводящего состояния в обратносмещенных GaAs-диодах, переключаемых в режиме задержанного лавинного пробоя
   
   Письма в ЖТФ, 48:16 (2022),  25–29
6. Волновые эффекты в коаксиальном тракте при субнаносекундном переключении высоковольтного диода в режиме задержанного ударно-ионизационного пробоя
   
   Письма в ЖТФ, 47:13 (2021),  32–35
7. Двойная лавинная инжекция в диодных лавинных обострителях
   
   Физика и техника полупроводников, 54:3 (2020),  275–279
8. Численное моделирование субнаносекундного лавинного переключения кремниевых $n^{+}$–$n$–$n^{+}$-структур
   
   Физика и техника полупроводников, 53:3 (2019),  401–406
9. Экспериментальное наблюдение задержанного ударно-ионизационного пробоя полупроводниковых структур без $p$–$n$-переходов
   
   Письма в ЖТФ, 44:4 (2018),  66–73
10. Субнаносекундноe ударно-ионизационное переключение кремниевых структур без $p$–$n$-переходов
    
    Письма в ЖТФ, 43:11 (2017),  55–62
11. Параметры карбид-кремниевых диодных обострителей импульсов пикосекундного диапазона
    
    Письма в ЖТФ, 42:1 (2016),  87–94
12. Аномальная динамика остаточного напряжения на арсенид-галлиевом диоде при субнаносекундном лавинном переключении
    
    Письма в ЖТФ, 41:7 (2015),  1–7
13. Субнаносекундное лавинное переключение высоковольтных кремниевых диодов с резкими и плавными $p$–$n$-переходами
    
    Письма в ЖТФ, 40:8 (2014),  80–87
14. Численное моделирование пространственно неоднородного переключения кремниевых диодных обострителей
    
    Письма в ЖТФ, 38:11 (2012),  78–87
15. Запуск сверхбыстрых фронтов ионизации в кремниевых диодных структурах термополевой эмиссией электронов с глубоких центров
    
    Письма в ЖТФ, 37:18 (2011),  17–25