Камаев Геннадий Николаевич

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Механизм транспорта заряда в МДП-структурах ITO/[GeO$_x$]$_{(z)}$[SiO$_2$]$_{(1-z)}$ (0.25 $\le z\le1$)/$n^+$-Si
   
   Физика и техника полупроводников, 59:6 (2025),  363–369
2. Состав и оптические свойства аморфного плазмохимического оксинитрида кремния переменного состава a-SiO$_x$N$_y$ : H
   
   ЖТФ, 93:4 (2023),  575–582
3. Вертикальное упорядочение аморфных нанокластеров Ge в многослойных гетероструктурах $a$-Ge/$a$-Si:H
   
   Письма в ЖТФ, 47:12 (2021),  13–16
4. О влиянии гетерограниц и толщины на кинетику кристаллизации пленок аморфного германия
   
   Физика и техника полупроводников, 54:7 (2020),  643–647
5. Наноразмерные флуктуации потенциала в SiO$_{x}$, синтезированном плазмохимическим осаждением
   
   Физика твердого тела, 61:12 (2019),  2528–2535
6. Оптические свойства нестехиометрического оксида кремния SiO$_{x}$ ($x<$ 2)
   
   Оптика и спектроскопия, 127:5 (2019),  769–773
7. Оптические свойства $p$–$i$–$n$-структур на основе аморфного гидрогенизированного кремния с нанокристаллами кремния, сформированными с применением наносекундных лазерных отжигов
   
   Физика и техника полупроводников, 50:7 (2016),  952–957
8. Электрофизические свойства наноструктур Si/SiO$_{2}$, полученных методом прямого сращивания
   
   Письма в ЖТФ, 42:11 (2016),  73–81
9. Действие быстрых тяжелых ионов на многослойные гетероструктуры Si/SiO$_2$
   
   Физика и техника полупроводников, 47:3 (2013),  334–339
10. Модель для описания особенности на аккумуляционной ветви вольт-фарадных характеристик МОП-конденсаторов с наночастицами кремния в окисле
    
    Письма в ЖТФ, 38:18 (2012),  45–52